Optimum Device Parameters and Scalability of Variable Threshold Voltage Complementary MOS (VTCMOS)
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概要
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- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2001-04-01
著者
-
SAKURAI Takayasu
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
TAKAMIYA Makoto
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
INUKAI Takashi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
KOURA Hiroshi
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
-
GOMYO Hiroyuki
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
-
KAWAGUCHI Hiroshi
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
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