Mobility Increase in High-Ns Region in (110)-Oriented UTB pMOSFET Through Surface Roughness Improvement
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概要
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- 2005-09-13
著者
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
TSUTSUI Gen
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
JANUAR Doni
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
SAITOH Masumi
Toshiba Corporation
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers
-
Hiramoto Toshiro
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Januar Doni
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Tsutsui Gen
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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