Large Electron Addition Energy above 250 meV in a Silicon Quantum Dot in a Single-Electron Transistor
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概要
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- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2001-03-01
著者
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
ISHIKURO Hiroki
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
SAITOH Masumi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
TAKAHASHI Nobuyoshi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
Ishikuro H
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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