Effects of Dot Size and its Distribution on Electron Number Control in Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor Memories Based on Silicon Nanocrystal Floating Dots
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概要
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- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2001-03-01
著者
-
Majima Hideaki
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Majima Hideaki
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
SAITOH Masumi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
INUKAI Takashi
The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
-
WANG Haining
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
TAKAHASHI Nobuyoshi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
INUKAI Takashi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
Majima H
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Inukai T
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Saitoh Masumi
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Inukai Takashi
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Wang Haining
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Takahashi N
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
HIRAMOTO Toshiro
Institute Industrial Science, The University of Tokyo
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