完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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イントリンジックチャネル完全空乏型(FD)SOI MOSFETの統計的性質を実測し,従来のバルクMOSトランジスタと比較した.しきい値電圧(Vth)ばらつきは,SOI MOSFETで大幅に抑制されることを確認した.さらに,ランダムテレグラフノイズ(RTN)によるVthの時間的変動の最悪値も,FD SOI MOSFETの方が小さいことが明らかとなった.三次元デバイスシミュレーションにより,これらの統計的ばらつきの抑制は,チャネルに不純物が存在しないことに起因することを明らかにした.これらの結果は,チャネル不純物を有しないイントリンジックチャネルMOSトランジスタが将来有望なデバイス構造であることを示している.
- 2011-10-13
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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