Effects of Discrete Quantum Levels on Electron Transport in Silicon Single-Electron Transistors with an Ultra-Small Quantum Dot
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概要
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We analyze electron transport of silicon single-electron transistors (Si SETs) with an ultra-small quantum dot using a master-equation model taking into account the discreteness of quantum levels and the finiteness of scattering rates. In the simulated SET characteristics, aperiodic Coulomb blockade oscillations, fine structures and negative diflerential conductances due to the quantum mechanical effects are superimposed on the usual Coulomb blockade diagram. These features are consistent with the previously measured results. Large peak-to-valley current ratio of negative differential conductances at room temperature is predicted for Si SETs with an ultra-small dot whose size is smaller than 3 nm.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-01
著者
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers
-
Hiramoto Toshiro
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Saitoh Masumi
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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