SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した. NMとVminを測定し直接比較した結果,高い電源電圧(V_<DD>)においては両者の相関は低く, NMは必ずしもよい指標ではないことが明らかとなった.一方, V_<DD>が低くなるほど両者の相関は高くなることを新たに発見し, SRAMセルの安定性を評価するには,高いV_<DD>ではなく低いV_<DD>でNMを測定しなければならないことを初めて明らかにした.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
宮野 信治
STARC
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