110億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
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概要
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110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した.その結果,定電流法で定義されたV_<TH>(V_<THC>)は正規分布から外れるが,外挿法で定義されたV_<TH>(V_<THEX>)はほぼ正規分布に従い,さらに,オン電流(I_<ON>)が異常に低いトランジスタが存在することがわかった.3Dデバイスシミュレーションと詳細なトランジスタ特性の実測により,非正規分布の原因および製造歩留に対する影響について議論した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-22
著者
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