100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき (シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 2012-02-27
著者
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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