C-8-16 ACドライバー回路におけるグランドプレーンの影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
鈴木 秀雄
超電導工学研究所
-
高井 裕司
東京電機大学工学部
-
田辺 圭一
SRL
-
田辺 圭一
超電導工学研究所
-
遠藤 武
東京電機大学
-
加藤 望
東京電機大学
-
田辺 圭一
超工研
-
鈴木 秀雄
国際超電導産業技術研究センター
-
鈴木 秀雄
財)国際超電導産業技術研究センター
-
高井 裕司
東京電機大学
-
高井 裕司
Tokyo Denki University
-
遠藤 武
東京電機大学:(財)国際超電導産業技術研究センター
-
田辺 圭一
(財)国際超電導産業技術研究センター
-
田辺 圭一
国際超電導産業技術研究セ 超電導工研
-
加藤 望
東京電機大学:超電導工学研究所
-
高井 裕司
東京電機大 工
関連論文
- 超伝導デバイスを用いた光信号波形モニタリング技術の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- ロボット式モバイルHTS-SQUID非破壊検査装置による水素燃料タンクの欠陥検出
- 磁場耐性の高いHTS-SQUIDを用いたロボット式モバイル非破壊検査装置
- 薄膜積層構造を有するHTS-SQUIDの作製とYBCO系長尺線材評価への応用(アナログ応用,一般)
- 電力ケーブルの交流損失における超電導テープ線材の形状効果
- 27aVE-3 Bi2212系およびLa214系固有ジョセフソン接合におけるMQT挙動と接合間相互作用(27aVE 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYF-12 固有接合における接合間の相互作用効果(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWJ-12 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y固有接合におけるスイッチング電流分布とMQT(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aPS-33 La_Sr_xCuO_4固有ジョセフソン接合における電流電圧特性とスイッチング分布(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 18aRC-10 高温超伝導体の微小固有接合におけるスイッチング特性解析とMQT(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXJ-8 高温超伝導体の微少固有接合におけるゼロボルト状態の寿命測定(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-21 HgBa_2Ca_2Cu_3O_yのCu NMR研究(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- In-plume PLD 法によるGdBCO長尺線材の高速成膜
- PLD-Y123及びGd123線材のピン止め特性 : 重イオン照射欠陥とBaZrO_3ナノロッドの比較
- In-plume PLD 法で reel-to-reel 成膜したGdBCO線材の磁場中I_c特性
- Y系超電導線材のマルチフィラメント化技術の進展
- C-8-17 単一磁束量子回路の出力データレート増倍回路の高速動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-16 ACドライバー回路におけるグランドプレーンの影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- レーザースクライビング法の改良による超電導線材の細線化
- In-plume PLD 法による高I_c-GdBCO長尺線材の高速成膜
- CT-2-6 積層構造を有する高温超伝導SQUIDの開発(CT-2. SQUID先端検査技術の実用化を目指して,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-8-14 AC駆動スタック型ドライバー回路の動作検討(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-13 単一磁束量子回路の出力データレートの増倍回路(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SFQ回路用高温超伝導ジョセフソン接合の開発(デジタル,一般)
- AC駆動スタック型ドライバー回路の動作検討
- 高温超伝導ランプエッジ型ジョセフソン接合作製におけるランプ形状の最適化
- 21aXQ-2 DCスパッタ法によるY_La_Ba_Cu_3O_yを用いた超伝導dドットの試作と評価(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- イットリウム系超電導変圧器の巻線技術開発(2) : 過電流と曲げ特性
- ナノ粒子分散TFA-MOD YGdBCO線材の不可逆磁場特性
- イットリウム系超電導変圧器の巻線技術開発
- C-8-5 3入力XOR回路を用いた超電導4ビット全加算器の設計
- C-8-2 3入力XOR回路で構成した超電導全加算器
- C-8-20 超電導フラッシュ型ADCにおけるMUX回路の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 石英管封入法による高温超伝導体Hg_M_Ba_2Ca_2Cu_3O_y(M=V, Cr, Mn, Mo, Ag, In, Sn, W, Re, Pb, Hf, Ta)の合成
- Y系超電導変圧器用巻線技術の開発
- 超電導デバイスを用いた光信号モニタリングと標準交流電圧生成技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 超電導変圧器のためのY系線材の細線化加工
- C-8-19 相補型QOSコンパレータの設計改善による高速動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-14 40Gbps光入力による超電導SFQ回路の動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-12 相補配置されたSQUIDを用いたフラッシュ型ADコンバータ(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-11 超電導ADCの光通信システム・計測への応用可能性(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- リアルタイム波形モニタの現状と超伝導デバイスによる高速化(次世代スイッチへの要求と省エネルギー技術,インターネット、アプリケーション及び一般)
- C-8-6 10KA/cm^2 Nbプロセスを用いた超電導サンプラーの動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-5 ダブラ回路を用いた超電導1次シグマデルタモジュレータの特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-19 広帯域アンプの低温動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-5 超電導ADコンバータ用ダブラー回路(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-4 超電導1次シグマデルタモジュレータの特性評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- CS-7-4 帯域100GHzを超える高温超電導サンプラーの開発(CS-7. 超伝導サブテラヘルツエレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- C-8-4 超伝導フラッシュ型ADCにおける半同期型エラー補正回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 エラー補正回路を統合化した4ビットフラッシュ型SFQ ADCの動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-5 スパイラルインダクタを用いたDCラッチドライバ(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- リアルタイム波形モニタの現状と超伝導デバイスによる高速化(次世代スイッチへの要求と省エネルギー技術,インターネット、アプリケーション及び一般)
- リアルタイム波形モニタの現状と超伝導デバイスによる高速化(次世代スイッチへの要求と省エネルギー技術,インターネット、アプリケーション及び一般)
- CT-1-1 積層型高温超電導SQUIDを用いた非破壊検査システム(CT-1.超伝導システム化技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ
- 誘電体ベーストランジスタを用いた強誘電体メモリセル
- 部分ドーピングを用いた誘電体べーストランジスタ : 誘電体ベーストランジスタの1V動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
- C-10-5 二元同時蒸着法によるβ-FeSi_2薄膜の作成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-8-4 超伝導シングル・ループ・シグマ・デルタ変調器(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
- C-8-15 ADコンバータのビット精度と浮遊インピーダンスの関係(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- 真空紫外レーザーと紫外レーザーの機能性材料加工への応用
- レーザー生成プラズマ支援アブレーション(LIPAA)による透明材料の微細加工
- C-8-7 3 入力 XOR 回路を用いた超電導全加算器の高速動作
- 食物摂取にともなう血糖値変化の数値モデルの一提案
- 石英ガラスのF_2-KrFレーザ多重波長励起アブレーションによる放出イオン種の観察
- 高温超電導SQUIDグラジオメータを用いた多層導体の非破壊検査(SQUID,一般)
- 超電導フラッシュ型ADCにおける半同期型エラー補正回路の設計(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- フォトケミカルエッチング法により作成した シリコン系可視発光層からのエレクトロルミネッセンス測定
- C-8-7 5bit超電導フラッシュ型ADCの設計および測定(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-6 フラッシュ型SFQ ADCの高周波化の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-14 高速SFQディジタルシステムのための冷凍機システムプロトタイプの開発と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-14 256ビット超伝導 ラッチ/SFQ ハイブリッドRAMの測定評価
- LPE単結晶基板上への接合作製
- C-8-6 超伝導SFQ-NOR型デコーダ回路
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 窒素ラジカル源を用いたPLD法によるSi基板上のTiN薄膜成長
- 均一化ビームを用いたPLD法によるSi(100)上へのTiN薄膜成長
- エキシマレーザーダブルパルス照射法による深いドーピング層の形成
- KrFダブルパルスエキシマレーザー照射によるSiへの深い拡散層の高速形成 -コンピュータシミュレーションによる解析-
- C-8-6 4K 冷凍機を用いた超電導 SFQ 回路の評価システム
- 光-光スイッチングデバイスのための半導体ナノ構造の特性評価
- 編込み金属線による熱電変換パネルの発電特性
- シリコン系可視発光層形成プロセスとしてのフォトケミカルエッチング法の提案とパーコレーションモデルによる特性解析
- 調和振動モデルによる多孔質シリコンの可視発光の解析
- エポキシ樹脂中の空間電荷分布の観測
- KrFエキシマレーザ-による深い拡散層の形成
- エキシマレーザーアブレーションによるマイクロ磁気回路の作製
- エキシマレーザを用いたSi注入堆積法によるステンレス鋼傾斜機能構造の形成
- Siレーザー注入堆積によるステンレス鋼への熱的安定層の形成
- C-8-3 SFQ回路におけるダブラー回路のセルベース化及び高周波測定(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 高温超電導SQUIDグラジオメータを用いた多層導体の非破壊検査
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
- Y系超電導変圧器へのMgO基板線材の適用性
- 20MVA級超電導変圧器の概念設計
- 超電導単一磁束量子回路を用いた5ビットA/Dコンバータの設計と動作(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- C-8-12 フラッシュ型SFQ ADCの高周波化の検討(2)(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)