光-光スイッチングデバイスのための半導体ナノ構造の特性評価
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概要
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光-光スイッチングデバイス開発のための基礎物性評価として、Si系半導体材料を用いた偏光スイッチング動作の実験と、共鳴フォトントンネリング効果を用いた光スイッチング動作の理論解析をそれぞれ行った。Si系偏光スイッチでは材料として光化学エッチング法により作成されたPhotochemical etching silicon(PCE Si)を用いた。PCE Siに円偏光制御光の回転方向に関する情報が保存される効果により、出力光の円偏光の回転方向をスイッチできることを示した。一方、AlGaAs積層構造の屈折率分布を設計することで共鳴フォトントンネリング効果が現れ、制御光入射により全反射状態と共鳴状態をスイッチできることを計算により明らかとした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-15
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