調和振動モデルによる多孔質シリコンの可視発光の解析
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概要
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陽極化成法により作成された多孔質シリコンのホトルミネッセンススペクトルを三つのガウス曲線によってフィッティングし,それぞれのピークフォトンエネルギー,半値幅の化成電流密度依存性を測定した.その結果,多孔質シリコンの可視発光スペクトルが等間隔なピークフオトンエネルギーのガウス曲線の合成によって近似できることを明らかにした.シリコン超微粒子内のポテンシャルが調和振動型であると仮定した,調和振動モデルを提案する.等間隔に分布するピークフォトンエネルギーが本モデルによって定性的に解析可能であることを明らかとした.レッドシフト及び半値幅の増加は,高エネルギーのピークほど化成電流密度の増加に対して依存性が強いことを,提案したモデルの量子数nの依存性として説明した.超微粒子の粒径に分布があるとして半値幅の化成電流密度依存性を解釈した.超微粒子内のエネルギー準位を考察するとき,調和振動モデルが非常に有効であり,また多孔質シリコンの可視発光現象の解析に有用なモデルであることを明らかとした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-25
著者
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