窒素ラジカル源を用いたPLD法によるSi基板上のTiN薄膜成長
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概要
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- 1999-01-01
著者
-
高井 裕司
東京電機大学工学部
-
緑川 克美
理化学研究所レーザー物理工学研究室
-
緑川 克美
理化学研究基幹研究所エクストリームフォトニクス研究グループ
-
杉岡 幸次
理化学研究所
-
小幡 孝太郎
理化学研究所
-
高井 裕司
東京電機大学
-
杉岡 幸次
理化学研究所レーザー物理工学研究室
-
小幡 孝太郎
東京電機大学工学部
-
高井 裕司
東京電機大 工
-
緑川 克美
理化学研究所 基幹研究所 エクストリームフォトニクス研究グループ
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