PLD法による導波路型Cr^<4+>:YAGとYb^<3+>:YAGレーザ結晶薄膜の作製
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概要
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Pulsed Laser Deposition(PLD)法により、遷移金属イオンドープCr^<4+>:YAG導波路型結晶薄膜と希土類イオンドープYb^<3+>:YAG導波路型レーザ結晶薄膜を作製した。YAG(111)単結晶基板上にエピタキシャル成長した薄膜の光学特性はバルク結晶の特性と一致していた。PLD法によって高品質な光学薄膜が作製できることを示した。また、Crイオンの価数制御は酸素雰囲気で調整できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-16
著者
-
小原 實
慶應義塾大学 電子工学科
-
緑川 克美
理化学研究所レーザー物理工学研究室
-
小原 實
慶應義塾大学
-
緑川 克美
理化学研究所
-
緑川 克美
理化学研究基幹研究所エクストリームフォトニクス研究グループ
-
熊谷 寛
理化学研究所 レーザー物理工学研究室
-
小原 實
慶應義塾大学大学院 理工学研究科
-
櫨川 哲
慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻
-
足立 恭一
慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻
-
深谷 幸代
慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻
-
足立 恭一
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
熊谷 寛
大阪市立大学大学院工学研究科
-
熊谷 寛
理化学研究所
-
小原 実
慶應義塾大学大学院 理工学研究科
-
緑川 克美
理化学研究所 基幹研究所 エクストリームフォトニクス研究グループ
-
深谷 幸代
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
櫨川 哲
慶應義塾大学理工学部電子工学科
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