分離型HTS-マルチターン薄膜検出コイルを用いたHTS-SQUIDグラジオメータの設計(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
非破壊検査応用では、励磁磁場によりSQUIDの動作が不安定になる問題を回避する方法の一つとして、検出コイルとSQUIDを分離し、磁束トランスを介して接続している。本研究では、磁束トランスの抵抗を下げるため超電導磁束トランス(SFT)を検討した。SFTは、HTS薄膜で作られた検出コイルと入力コイルをHTSテープ線材を用いて接続し作製したため、接続部に抵抗成分を含んでいる。各コイルと線材の接続抵抗の測定結果から、ボンディングワイヤの抵抗成分が支配的であることが判明した。見積もったSFTの抵抗は、11.7Hzの低域カットオフ周波数に相当する、7.2mΩであった。銅検出コイルと比較した結果、高周波側では大きな差が出ないが、低周波側ではカットオフ周波数が低い超電導検出コイルの方が微弱な信号の検出に優れている。
- 2014-01-16
著者
-
高井 裕司
東京電機大 工
-
田辺 圭一
(公財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
安達 成司
(公財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
塚本 晃
(公財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
安達 成司
(公財)国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所
-
寺岡 雅之
(公財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
関連論文
- ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- ドープガラスによるマイクロ原子タグの作製と評価(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- C-8-17 単一磁束量子回路の出力データレート増倍回路の高速動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-16 ACドライバー回路におけるグランドプレーンの影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-14 AC駆動スタック型ドライバー回路の動作検討(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-13 単一磁束量子回路の出力データレートの増倍回路(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- AC駆動スタック型ドライバー回路の動作検討
- C-8-5 3入力XOR回路を用いた超電導4ビット全加算器の設計
- C-8-2 3入力XOR回路で構成した超電導全加算器
- C-8-5 ダブラ回路を用いた超電導1次シグマデルタモジュレータの特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-5 超電導ADコンバータ用ダブラー回路(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-4 超電導1次シグマデルタモジュレータの特性評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-5 スパイラルインダクタを用いたDCラッチドライバ(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
- C-10-5 二元同時蒸着法によるβ-FeSi_2薄膜の作成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-8-4 超伝導シングル・ループ・シグマ・デルタ変調器(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
- C-8-15 ADコンバータのビット精度と浮遊インピーダンスの関係(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- 真空紫外レーザーと紫外レーザーの機能性材料加工への応用
- レーザー生成プラズマ支援アブレーション(LIPAA)による透明材料の微細加工
- C-8-7 3 入力 XOR 回路を用いた超電導全加算器の高速動作
- 食物摂取にともなう血糖値変化の数値モデルの一提案
- 石英ガラスのF_2-KrFレーザ多重波長励起アブレーションによる放出イオン種の観察
- フォトケミカルエッチング法により作成した シリコン系可視発光層からのエレクトロルミネッセンス測定
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 窒素ラジカル源を用いたPLD法によるSi基板上のTiN薄膜成長
- 均一化ビームを用いたPLD法によるSi(100)上へのTiN薄膜成長
- エキシマレーザーダブルパルス照射法による深いドーピング層の形成
- KrFダブルパルスエキシマレーザー照射によるSiへの深い拡散層の高速形成 -コンピュータシミュレーションによる解析-
- 光-光スイッチングデバイスのための半導体ナノ構造の特性評価
- 編込み金属線による熱電変換パネルの発電特性
- シリコン系可視発光層形成プロセスとしてのフォトケミカルエッチング法の提案とパーコレーションモデルによる特性解析
- 調和振動モデルによる多孔質シリコンの可視発光の解析
- エポキシ樹脂中の空間電荷分布の観測
- ダブルパルスエキシマレ-ザ-照射によるSiへの拡散層高速形成コンピュ-タシミュレ-ションによる解析
- KrFエキシマレーザ-による深い拡散層の形成
- エキシマレーザーアブレーションによるマイクロ磁気回路の作製
- エキシマレーザを用いたSi注入堆積法によるステンレス鋼傾斜機能構造の形成
- Siレーザー注入堆積によるステンレス鋼への熱的安定層の形成
- C-8-3 SFQ回路におけるダブラー回路のセルベース化及び高周波測定(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- エキシマレ-ザ-によるSiへの深い拡散層の高速形成
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発
- レーザー生成プラズマ支援アブレーション(LIPAA)によるサファイアの加工
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 広帯域量子ドット光ゲインによるT-, O-バンド外部共振器型波長可変光源の開発(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 2.ジョセフソン接合作製技術の進展(量子限界への扉を開くジョセフソン効果-発見から50年,その基礎と応用-)
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発
- C-4-25 量子ドット技術による広帯域波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ハイブリッド型高温超電導SQUIDマグネトメータの開発(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- 高温超伝導SQUIDを用いた先端バイオ・非破壊センシング技術の開発
- 分離型HTS-マルチターン薄膜検出コイルを用いたHTS-SQUIDグラジオメータの設計(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
- 新規光周波数帯域T+Oバンドの光ネットワーク実現に向けた半導体量子ドットデバイス(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 新規光周波数帯域T+Oバンドの光ネットワーク実現に向けた半導体量子ドットデバイス(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 新規光周波数帯域T+Oバンドの光ネットワーク実現に向けた半導体量子ドットデバイス(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 新規光周波数帯域T+Oバンドの光ネットワーク実現に向けた半導体量子ドットデバイス(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 新規光周波数帯域T+Oバンドの光ネットワーク実現に向けた半導体量子ドットデバイス(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)