InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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新たな光周波数資源の開拓は,将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる.我々は,光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.今回,GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドット構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した.この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した.結果,ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-16
著者
-
山本 直克
情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
-
山本 直克
独立行政法人 情報通信研究機構
-
赤羽 浩一
独立行政法人 情報通信研究機構
-
外林 秀之
青山学院大学
-
高井 裕司
東京電機大 工
-
吉岡 佑毅
東京電機大学
-
川西 哲也
(独)情報通信研究機構光ネットワーク研究所
-
吉岡 佑毅
東京電機大学:情報通信研究機構
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