アンチモン系半導体量子ドットレーザの研究 (光COE特集)

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概要

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• 情報通信研究機構の論文

著者

• 大谷 直毅

  同志社大

関連論文

• 22pPSB-28 III-V族半導体量子ドットにおける励起子ラビ振動のパルス幅依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 27aPS-35 III-V族半導体量子ドットの励起子フォトンエコーII(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 13pPSA-39 ダブルパルス励起による GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるコヒーレント LO フォノンと励起子量子ビートの結合モード(領域 5)
• アンチモン系ナノ材料を用いた波長1.3ミクロン帯導波路型・面型量子ドットレーザの開発
• 13pPSA-33 半導体中の励起子における Non-Markov 過程と decoherence(領域 5)
• 23pRE-8 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22aPS-58 III-V族半導体量子ドットの励起子フォトンエコー(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pPSB-25 InAs系自己形成量子ドットの励起子四光波混合のドット密度依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-44 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合IV(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-35 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合III(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aWA-8 InAs系自己形成量子ドット中の励起子四光波混合II(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 29pXQ-4 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンと励起子量子ビートの結合モード(超高速現象)(領域5)
• 共鳴フォトントンネリングによる全光スイッチ・全光メモリの解析
• 光-光スイッチングデバイスのための半導体ナノ構造の特性評価
• アンチモン系半導体量子ドットレーザの研究 (光COE特集)
• 25pPSA-54 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果II(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pHB-10 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォトンエコー(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 21pRB-12 III-V族自己形成型半導体量子ドットにおけるスペクトル分解フォートンエコーII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 21pRB-11 III-V族自己形成型半導体量子ドットの励起子ラビ振動における局所電場効果III(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))

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