共鳴フォトントンネリングによる全光スイッチ・全光メモリの解析
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概要
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GaAs/AIGaAs積層ナノ構造での共鳴フォトントンネリング効果を数値解析し、全光スイッチおよび全光メモリが実現できることを示す。全ての入力光が透過する共鳴状態において、制御光による内部屈折率変化によって透過光量を減少できる。また入力光強度を更に増加させると双安定状態が現れるので光メモリが実現可能であることを明らかにした。
- 2003-02-14
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