水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算
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概要
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水素終端したSi(100)2x1表面へのAlの初期吸着をノルム保存型の擬ポテンシャルを用いた第一原理計算により調べた。水素終端したSiのmono-hydride phase上にAl原子を1個つけた場合の吸着エネルギーの分布を求めた。この結果より、結合エネルギー値は1.8eVであること、拡散の活性化エネルギーは下地のシリコンのダイマー列に平行、垂いづれの方向に対しても0.6eVであることが分かった。吸着原子の数を増加させると吸着エネルギーは増加する。この吸着エネルギーの振る舞いと拡散の活性化エネルギーが低いことから、吸着原子は表面上でクラスター化することが予測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-16
著者
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