水素ラジカル処理によるデバイス界面の制御
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概要
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化合物半導体デバイス高速化のための微細化, 動作層薄膜化にともない, デバイス表面・界面の安定性が問題になってくる. 化合物半導体の表面・界面にはプロセス中で生じた, 酸化物を含む変性層が存在し, デバイスの信頼性低下, 寄生抵抗成分の増加の原因になっている. 実プロセスでこれら酸化物層を除去するために, 低温で処理可能な水素ラジカルクリーニングを評価した. その結果, 200℃から400℃の低温プロセスで酸化物と炭素を除去できることが分かった. 水素ラジカル処理したGaAs表面にアルミニウムを蒸着したショットキーダイオードの特性において, 順・逆方向リーク電流が抑制された. また, 清浄表面に形成されたアルミニウムはシングルドメイン構造になることを確認した. さらに, 本技術をデバイス表面保護膜形成の前処理に適用することで, 素子耐圧の信頼性が向上することも分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-14
著者
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