Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
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概要
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Physical parameters of Ga1-xAlxN and Zn1-xMgxO wurtzite crystals (x = 0 and 0.5) were analyzed using first-principles calculation. A plane-wave pseudopotential method was employed to a density functional theory, and the effect of alloying on the lattice parameters, spontaneous polarization in the c-axis direction, elastic stiffness and piezoelectric stress constants were calculated. Polarization effect in the heterosystems of Zn-polar Zn0.5Mg0.5O/ZnO and O-polar ZnO/Zn0.5Mg0.5O as well as Ga-polar Ga0.5Al0.5N/GaN and N-polar GaN/Ga0.5Al0.5N was compared by estimating their interface charges. The interface charges of the former two systems were estimated to be ∼5 times larger than those of the latter two assuming the strained structures by pseudomorphic growth.
著者
-
上辻 靖智
大阪工業大学工学部
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
青木 隆裕
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
飯田 俊
大阪工業大学工学部機械工学科
-
福田 康人
大阪工業大学大学院工学研究科機械工学専攻
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
上辻 靖智
大阪工業大学
-
福田 康人
大阪工業大学大学院工学研究科
-
上辻 靖智
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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