InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造を用いた超伝導弱結合素子の製作と特性評価
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概要
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高性能な超伝導トランジスタへの応用を目指して,InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造を用いて超伝導弱結合素子を製作し,その電気的特性を評価した.半導体層は高移動度・高電子濃度をもつInAs/(AlGa)Sbヘテロ構造,また超伝導電極はPb合金超伝導薄膜からなる.InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造は分子線エピタキシ法で成長を行った.超伝導電極は真空蒸着法を用いて形成し,リフトオフ法とウェットエッチングにより超伝導弱結合素子を製作した.InAs井戸層の膜厚は150Å,Pb合金超伝導薄膜の膜厚は2000Åとした.素子長が0.3μmの素子の4.2Kにおける電流密度は3×10^4〜10^5A/cm^2,線電流密度は4.5〜15mA/mmであり,IcRn積は〜2mVと見積られた.このことから,InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造を用いた超伝導弱結合素子では,電流密度とIcRn積が大きく,超伝導デバイスとしての有効性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-03-25
著者
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