升田 公三 | 筑波大学物質工学系
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概要
関連著者
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升田 公三
筑波大学物質工学系
-
升田 公三
筑波大物質工
-
滝田 宏樹
筑波大物質工
-
滝田 宏樹
筑波大物質
-
滝田 宏樹
筑波大・物質工
-
升田 公三
筑波大・物質工
-
落合 勇一
筑波大物質工
-
工藤 博
筑波大数物
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一法師 隆志
筑波大物質工
-
工藤 博
筑波大学物理工学系
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鈴木 東
筑波大・物質工
-
内野 俊
筑波大物質工
-
内野 俊
筑波大・物質工
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大圃 一実
筑波大・物質工
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Uchino T
Hitachi Ltd. Tokyo Jpn
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Uchino Takashi
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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内野 俊
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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升田 公三
筑波大 物質工
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関 整爾
SSL筑波
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秋永 広幸
Jrcat融合研
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関整 爾
加速器センター
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植松 賢司
筑波大物質工
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工藤 博
筑波大 物工
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一法師 隆志
筑波大・物質工
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大谷 実
筑波大学物質工
-
滝田 宏樹
筑波大 物質工
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関 整爾
筑波大 物理
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大武 一
筑波大・物質工
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大圃 一実
筑波大物質工
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大谷 実
筑波大物質工
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工藤 博
筑波大物理工
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村上 浩一
筑波大学 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻
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村上 浩一
筑波大学物質工学系
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島 邦博
筑波大物工
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加藤 英生
筑波大・物質工
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島 邦博
筑波大学加速器センター
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南 海玉
筑波大学大学院工学研究科
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滝田 宏樹
筑波大、物質工
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尾崎 洋
筑波大物工
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鈴木 東
筑波大物質工
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工藤 博札
筑波大数理物質科学研究科
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滝田 宏樹
筑波大学物質工学系
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牛膓 哲雄
筑波大・物質工
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升田 公三
筑波大、物質工
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木下 幸男
筑波大物質工
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滝田 宏樹
筑波大物工
-
秋永 広幸
筑波大物工
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加藤 英人
筑波大物工
-
升田 公三
筑波大物工
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折本 芳樹
筑波大物質工
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落合 勇一
筑波大 物質工
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植松 賢司
筑波大 物質工
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工藤 博
物理工
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関 整爾
筑波大物理
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島 邦博
筑波大加セ
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寿栄松 宏仁
筑波大学物質工学系
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新井 敏弘
筑波大物工
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寿栄松 宏仁
筑波大物質工
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大松 一也
筑波大・物質
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関根 幸平
イオン工学研究所
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関根 幸平
(株)イオン工学研究所
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関根 幸平
(株)イオン工学センター
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村田 峰生
筑波大物質工
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島 邦博
筑波大 物工
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大谷 実
筑波大 理工学研究科
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菅野 光
筑波大 理工学研究科
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塚田 啓二
筑波大 理工学研究科
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井上 正崇
大阪工業大学
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島 邦博
筑波大
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新井 敏弘
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
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加藤 英生
筑波大、物質工
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秋永 広幸
筑波大、物質工
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岡本 徹
東大物性研
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伊藤 久義
物質工
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渡辺 正則
イオン工学センター
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尾崎 洋
筑波大・物質工
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工藤 博
筑波大・物工
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島 邦博
筑波大・物工
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滝田 宏樹
物質工
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升田 公三
物質工
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一法師 隆志
物質工
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内野 俊
物質工
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鈴木 東
物質工
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岩佐 規人
物質工
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浦山 雅夫
筑波大・物質工
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日高 義晴
筑波大・物質工
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大島 武
原子力機構
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秋永 広幸
筑波大物質工
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矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学
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大谷 実
筑波大学物理学系
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坂本 浩道
イオン工学センター
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大松 一也
筑波大物質
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村田 峰生
筑波大学物質工学
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大島 武
筑波大物質工
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渡辺 正則
イオン工学研
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岡本 徹
筑波大学物質工学系
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渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
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秋永 広幸
筑波大・物質工
-
山下 貴弘
大阪工業大学
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飯島 龍哉
筑波大学物質工
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滝田 宏樹
筑波大,物質工
-
大圃 一実
筑波大,物質工
-
升田 公三
筑波大,物質工
-
大圃 一実
筑波大、物質工
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前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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中鶴 一隆
筑波大物質工
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升田 公三
筑波大学 物質工学系
-
村上 浩一
筑波大学物理工学系、特プロ"ナノサイエンス"
-
前元 利彦
大阪工業大学
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寿栄松 宏仁
筑波大物質
著作論文
- 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
- 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
- 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
- 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
- 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
- 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- 3p-X-3 チャネリング条件におけるイオン励起2次電子放出
- 2a-D-5 チャネリング条件での10-20MeV He^のSiによる後方散乱スペクトル
- 30p-D-1 HgTeの表面組成変化(42MeV-O^の後方散乱法による測定)
- 短時間レ-ザ照射によるイオン注入GaAs層の結晶性回復:注入量及びド-ズレ-ト依存性
- 28p-G-12 Hg_Cd_xTeのキャリア-再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動IV
- 29a-A-7 Hg_Cd_xTeのキャリアー再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動II
- 1a-R-9 GaPの高速イオン励起2次電子
- 3a-F-7 Hg_Cd_xTeのオージェ再結合による磁気量子振動
- 3p-Q-4 Hg_Cd_xTeの磁気フォノン共鳴の異常な温度変化
- 3p-Q-3 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動II
- 1a-KC-10 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動
- 14a-E-19 LPE-HgTeにおけるホットエレクトロンの磁気フォノン共鳴
- 3p-NGH-7 黒鉛層間化合物C_6Euの電気的性質
- アモルファスGaAsのレ-ザ-固相エピタキシャル成長
- 5p-Y-11 YBCO型構造を持つ超伝導体における高ホール濃度ドーピングの試み
- 2a-K-3 LPE法によるHg_Cd_xMn_vTeの結晶成長とその電気的特性
- 4a-A2-11 LPE-Hg_Cd_xMn_yTeの磁気フォノン共鳴再結合
- 26a-G-1 HgTeをベースとした希薄磁性半導体のLPE成長と強磁場電気伝導
- 29a-A-6 HgTeをベースとした混晶半導体のLPE成長と強磁場電気伝導
- 3a-F-6 LPE-Hg_M_Teにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合II
- 27p-PS-53 高T_c超伝導体RBa_2Cu_3O_(R=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)の合成
- 27p-PS-51 RBa2Cu_3O_(R=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb)の上部臨界磁場とその異方性
- 14a-E-16 LPE-HgTeの不純物状態と磁気抵抗変化の高感度測定
- 30a-Q-5 2H-NbSe_2 の磁場侵入度とCDW転移
- 14a-E-17 プラズモン-フォノン結合モードとHgTeの磁気フォノン共鳴
- 1a-B-4 横磁気ゼーベック係数の磁気フォノン振動
- 1a-Pβ-32 p-Teの熱電能に現われる,音響フォノンによるマグネトフォノンピーク
- 1a-Pβ-31 テルルの伝導帯電子による熱電能のマグネトフォノン振動
- 5p-NL-4 半導体における熱電能のマグネトフォノン振動
- 31a-K-5 InSbの真性領域における熱起電能のマグネトフォノン振動
- 3a-F-8 Hg_Cd_xTeの磁気フォノン共鳴の異常な温度変化II
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- 筑波大学に於ける物理教育 (「今、教養部は? 教養部改組をめぐって : その2」)
- 31p-PS-105 110K相Bi-Sr-Ca-Cu-O系の超伝導とホール濃度
- 5a-Y-8 高Tc相Bi-Sr-Ca-Nd-Cu-O系の超伝導とホール濃度
- 5p-PS-25 Ln_Ba_Cu_3O_おけるT_cとホール係数及び化学分析によるホール濃度との関係
- 5p-PS-24 Bi-Sr-Ca-Cu-O系の超伝導
- 材料改質におけるイオンビームの利用
- 外国人教員 (教育改革と筑波大学)
- 第三学群の教育と就職に関して (就職)
- 大学院における新しい工学教育 : 理工学修士について (筑波大学の工学教育)
- 4p-D-4 熱処理 GaAs の表面組成変化の考察
- 31p-K-6 黒鉛層間化合物(G-Rb系)の伝導電子スピン共鳴
- 6a-T-8 半導体への重イオン注入