筑波大学に於ける物理教育 (<談話室小特集>「今、教養部は? 教養部改組をめぐって : その2」)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-08-05

著者

• 升田 公三

  筑波大物質工

• 新井 敏弘

  筑波大物工

• 新井 敏弘

  石巻専修大学理工学部電子材料工学科

• 升田 公三

  筑波大学物質工学系

関連論文

• 29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
• 4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
• 4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収
• 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
• 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
• 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
• 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
• 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
• 31a-A-1 パイライト型化合物の光スペクトルと電子構造
• 5a-TC-9 層状六方晶BNの層間結合とラマン散乱
• 31p-B-5 a-As-Se-S系の中性子散乱による構造解析
• 2p-B-3 Ge添加As_2Se_3ガラスの光キャリヤー輸送現象
• 31p-B-14 Ge添加As_2Se_3ガラスの輸送現象
• 高光透過率Fe/MgF_2多層膜の磁気・光学的性質
• 28a-K-7 CaVO_3の光学スペクトル
• 27a-G-17 非晶質As-S系の音速の温度変化
• 31a-PS-21 ペロブスカイト型Ti, V酸化物の電子状態II
• 3a-YD-4 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_7の超伝導状態におけるフォノンの異常
• 13a-T-12 Pr_xHo_Ba_2Cu_3O_y(y〜7, 6.2)の赤外反射及びラマン散乱
• 30a-R-9 CaVO_の赤外及びラマン散乱スペクトル
• 28p-G-12 Hg_Cd_xTeのキャリア-再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動IV
• 3p-Q-4 Hg_Cd_xTeの磁気フォノン共鳴の異常な温度変化
• 3p-Q-3 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動II
• 2p-K-3 ガス中蒸発法によるGe微粒子の光吸収スペクトル
• 1p-P-11 GeO_2ガラス中CdSe微結晶の過渡吸収分光
• 3a-X-8 CdSe微結晶における電子系の高励起状態と緩和過程
• 31p-N-12 GeO_2ガラス中のCdSe微結晶の時間分解発光分光 II
• 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
• 30p-PSB-42 GdBa_2Cu_3O_Y(Y=6,7)の格子振動におけるBaサイトへのSr置換効果
• 27a-PS-27 Sm_Pr_xBa_2Cu_3O_の赤外スペクトルとラマン散乱
• 30a-A-15 非晶質(GeS_2)_x(As_2S_3)_系の静水圧下に於ける吸収端
• 4p-A-2 高圧下における非晶質As-S系のラマン散乱
• 3p-NGH-7 黒鉛層間化合物C_6Euの電気的性質
• 5p-PS-20 高温超伝導体LnBa_2Cu_3O_x{Ln=Y,Ho,Er,Sm,Gd,Dy,Tm,Eu,Pr)の遠赤外反射スペクトル
• 3a-A2-2 非晶質半導体Ge_xSe_系の基礎吸収端への加圧効果
• 27a-B-7 2H-NbS_2のラマン散乱
• 29a-T-10 ゼオライトに担持させたSe微粒子の熱的挙動と光学的特性
• 5p-Y-11 YBCO型構造を持つ超伝導体における高ホール濃度ドーピングの試み
• 28a-H-3 半導体ナノメートル微結晶における永続的ホールバーニングII
• Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_のラマン散乱スペクトル
• 5p-B-13 GeO_2ガラス中のCdSe微結晶の過渡光吸収
• 31p-BG-6 Bi を添加した a-As_2S_3 の振動スペクトル
• 第5回高圧半導体物理学国際会議報告
• 28a-YL-1 ポーラスシリコンのPLに及ぼす雰囲気ガス及び光照射効果
• 28a-D-3 a-As_xSe_(0≦x≦50)反射スペクトルの成分依存性
• 5a-B-12 a-AsSe 系の吸収端近傍の光スペクトル
• 5a-B-10 a-AsSe 系の価電子帯の構造
• 31a GE-2 a-AsSe系の光電子分光
• 5p-K-16 As_xSe_の光電子放出に於ける熱処理効果
• 4p-B4-11 ガラス媒質中のCdS微粒子に対する圧力効果
• 半導体微粒子の表面(界面)と光学的性質(固体の表面・界面における電子励起状態と緩和過程の研究,科研費研究会報告)
• 3p-G-11 CdS微粒子の圧力効果(IV)
• 4p-A-4 a-As_2S_3,a-As_2Se_3の光音響分光の低温測定
• 5p-Z-2 TlCaBa_2Cu_2O_7とTl_2CaBa_2Cu_2O_8の光学フォノン・モード
• 3p-G-13 CdSe微粒子の光分解
• 28p-J-1 CdSeクラスタービームのレーザー照射による再蒸発と発光
• 3a GB-7 HgCr_2Se_4の温度変調光スペクトル
• 1a-B-4 横磁気ゼーベック係数の磁気フォノン振動
• 1a-Pβ-32 p-Teの熱電能に現われる,音響フォノンによるマグネトフォノンピーク
• 1a-Pβ-31 テルルの伝導帯電子による熱電能のマグネトフォノン振動
• 30p-YE-8 CdSクラスターの構造相転移に及ぼす圧力効果
• 28p-J-2 CdS微粒子の加圧効果(III)
• 13p-DC-13 CdS微粒子の加圧効果(II)
• 27a-X-10 ゼオライトに吸着させたSeのラマンスペクトル
• 31p-TB-5 層状半導体TlGa_xlnS_2系の圧力下におけるラマン散乱
• 5a-C-8 非晶質半導体(GeS_2)_(Sb_2S_3)_Xの吸収端への圧力効果
• 27a-G-13 Ge-S系非晶質半導体の圧力ヒステリシス効果
• 筑波大学に於ける物理教育 (「今、教養部は? 教養部改組をめぐって : その2」)
• 31p-PS-105 110K相Bi-Sr-Ca-Cu-O系の超伝導とホール濃度
• 5a-Y-8 高Tc相Bi-Sr-Ca-Nd-Cu-O系の超伝導とホール濃度
• 29a-B-15 Fe_Cu_x Cr_2S4におけるフォノン-プラズモンスペクトルの磁気整列効果
• 3p-Q-7 磁性半導体MCr_2X_4における誘電パラメーターへの磁気効果(I)
• 28a-N-5 混晶系AB_C_xにおける有効電荷の成分比依存性 II
• 30a-S-12 混晶AB_C_xにおける有効電荷の成分比依有性
• 4p-Z-4 クロムスピネル AB_2X_4 有効電荷
• 4a-Z-1 3R-NbS_2 のラマン散乱
• 3a-A2-4 低波数赤外吸収によるa-(As_2S_3)_(Sb_2S_3)_x系の電荷ゆらぎ
• 31a-WB-5 C_単結晶のラマン散乱による光誘起現象
• 15p-B-3 固体C_の振動モードにおける構造相転移の効果
• 31a-YK-7 C_薄膜へのレーザー照射による光物理過程
• 15a-B-9 構造相転移及び酸素吸着による固体C_の増強ラマン散乱
• 30a-Q-5 固体C_への酸素吸着による増強ラマン散乱と光分解過程
• 30a-Q-4 固体C_のラマン散乱と赤外分光による構造相転移の研究
• 31a-WB-4 C_薄膜における光誘起構造変化
• 30p-YM-4 層状半導体TlIn_Ga_xS_2の構造相転移
• 3a-G-16 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光II
• 3a-J-12 (GeS_2)_(Bi_2S_3)_x系非晶質半導体の赤外吸収及びラマン散乱
• 3a-J-11 Sb-Se系非晶質半導体体膜における光結晶化
• 28a-J-1 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光
• 1p-P-10 CdS微粒子の加圧効果
• 5a-D-8 層状半導体TlGa_xln_S_2の基礎吸収端の圧力効果
• 26p-M-19 層状半導体TIInS_2の光吸収スペクトル
• 5a-D-9 層状半導体TllnS_2の発光及びラマン散乱の温度依存性
• Pr_xEr_Ba_2Cu_3O_系の赤外スペクトル
• 2a-M-4 Bi_2S_3の赤外及びラマンスペクトル
• 第5回三元及び多元化合物国際会議
• 1p-PS-52 La_Ba_Cu_3O_におけるキャリア濃度・構造と超伝導転移との相関(低温(酸化物超伝導体))
• 31p-PS-49 Bi_2Sr_2Ca_Nd_xCu_2O_及びBi_2Sr_2Cu_Nd_xCu_3O_yの超伝導特性とホール濃度(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 31a-G-1 HgTeベース混晶半導体のLPE成長とその磁気フォノン共鳴再結合(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク