5p-K-16 As_xSe_<1-x>の光電子放出に於ける熱処理効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1977-03-20

著者

• 新井 敏弘

  筑波大物工

• 新井 敏弘

  東教大光研

• 北原 正

  筑波大物工

• 北原 正

  筑波大物理学系

関連論文

• 31a-A-1 パイライト型化合物の光スペクトルと電子構造
• 5a-TC-9 層状六方晶BNの層間結合とラマン散乱
• 31p-B-5 a-As-Se-S系の中性子散乱による構造解析
• 12p-W-6 II.ガラス半導体As_3Se_3の吸収端の温度変化
• 6a-KL-9 無定型As_2Se_3の吸収端の温度依存性
• 27a-SB-32 Ge添加As_2Se_3ガラスの光音響分光
• 2p-B-3 Ge添加As_2Se_3ガラスの光キャリヤー輸送現象
• 31p-B-14 Ge添加As_2Se_3ガラスの輸送現象
• 高光透過率Fe/MgF_2多層膜の磁気・光学的性質
• 28a-K-7 CaVO_3の光学スペクトル
• 27a-G-17 非晶質As-S系の音速の温度変化
• 31a-PS-21 ペロブスカイト型Ti, V酸化物の電子状態II
• 3a-YD-4 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_7の超伝導状態におけるフォノンの異常
• 13a-T-12 Pr_xHo_Ba_2Cu_3O_y(y〜7, 6.2)の赤外反射及びラマン散乱
• 30a-R-9 CaVO_の赤外及びラマン散乱スペクトル
• 2p-K-3 ガス中蒸発法によるGe微粒子の光吸収スペクトル
• 1p-P-11 GeO_2ガラス中CdSe微結晶の過渡吸収分光
• 3a-X-8 CdSe微結晶における電子系の高励起状態と緩和過程
• 31p-N-12 GeO_2ガラス中のCdSe微結晶の時間分解発光分光 II
• 30p-PSB-42 GdBa_2Cu_3O_Y(Y=6,7)の格子振動におけるBaサイトへのSr置換効果
• 27a-PS-27 Sm_Pr_xBa_2Cu_3O_の赤外スペクトルとラマン散乱
• 30a-A-15 非晶質(GeS_2)_x(As_2S_3)_系の静水圧下に於ける吸収端
• 4p-A-2 高圧下における非晶質As-S系のラマン散乱
• 5p-PS-20 高温超伝導体LnBa_2Cu_3O_x{Ln=Y,Ho,Er,Sm,Gd,Dy,Tm,Eu,Pr)の遠赤外反射スペクトル
• 3a-A2-2 非晶質半導体Ge_xSe_系の基礎吸収端への加圧効果
• 9p-Q-14 沃素酸結晶のラマン散乱強度の角度依存
• 11p-T-3 HIO_3とDIO_3の赤外反射スペクトル
• 6a-K-12 方解石のlattice vibrations
• 27a-B-7 2H-NbS_2のラマン散乱
• 29a-T-10 ゼオライトに担持させたSe微粒子の熱的挙動と光学的特性
• 28a-H-3 半導体ナノメートル微結晶における永続的ホールバーニングII
• Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_のラマン散乱スペクトル
• 5p-B-13 GeO_2ガラス中のCdSe微結晶の過渡光吸収
• 31p-BG-6 Bi を添加した a-As_2S_3 の振動スペクトル
• 第5回高圧半導体物理学国際会議報告
• 28a-YL-1 ポーラスシリコンのPLに及ぼす雰囲気ガス及び光照射効果
• 28a-D-3 a-As_xSe_(0≦x≦50)反射スペクトルの成分依存性
• 5a-B-12 a-AsSe 系の吸収端近傍の光スペクトル
• 5a-B-10 a-AsSe 系の価電子帯の構造
• 31a GE-2 a-AsSe系の光電子分光
• 5p-K-16 As_xSe_の光電子放出に於ける熱処理効果
• 4p-B4-11 ガラス媒質中のCdS微粒子に対する圧力効果
• 半導体微粒子の表面(界面)と光学的性質(固体の表面・界面における電子励起状態と緩和過程の研究,科研費研究会報告)
• 3p-G-11 CdS微粒子の圧力効果(IV)
• 4p-A-4 a-As_2S_3,a-As_2Se_3の光音響分光の低温測定
• 5p-Z-2 TlCaBa_2Cu_2O_7とTl_2CaBa_2Cu_2O_8の光学フォノン・モード
• 3p-G-13 CdSe微粒子の光分解
• 28p-J-1 CdSeクラスタービームのレーザー照射による再蒸発と発光
• 3a GB-7 HgCr_2Se_4の温度変調光スペクトル
• 30p-YE-8 CdSクラスターの構造相転移に及ぼす圧力効果
• 28p-J-2 CdS微粒子の加圧効果(III)
• 13p-DC-13 CdS微粒子の加圧効果(II)
• 27a-X-10 ゼオライトに吸着させたSeのラマンスペクトル
• 31p-TB-5 層状半導体TlGa_xlnS_2系の圧力下におけるラマン散乱
• 5a-C-8 非晶質半導体(GeS_2)_(Sb_2S_3)_Xの吸収端への圧力効果
• 27a-G-13 Ge-S系非晶質半導体の圧力ヒステリシス効果
• 筑波大学に於ける物理教育 (「今、教養部は? 教養部改組をめぐって : その2」)
• 29a-B-15 Fe_Cu_x Cr_2S4におけるフォノン-プラズモンスペクトルの磁気整列効果
• 3p-Q-7 磁性半導体MCr_2X_4における誘電パラメーターへの磁気効果(I)
• 28a-N-5 混晶系AB_C_xにおける有効電荷の成分比依存性 II
• 30a-S-12 混晶AB_C_xにおける有効電荷の成分比依有性
• 4p-Z-4 クロムスピネル AB_2X_4 有効電荷
• 4a-Z-1 3R-NbS_2 のラマン散乱
• 3a-A2-4 低波数赤外吸収によるa-(As_2S_3)_(Sb_2S_3)_x系の電荷ゆらぎ
• 31a-WB-5 C_単結晶のラマン散乱による光誘起現象
• 15p-B-3 固体C_の振動モードにおける構造相転移の効果
• 31a-YK-7 C_薄膜へのレーザー照射による光物理過程
• 15a-B-9 構造相転移及び酸素吸着による固体C_の増強ラマン散乱
• 30a-Q-5 固体C_への酸素吸着による増強ラマン散乱と光分解過程
• 30a-Q-4 固体C_のラマン散乱と赤外分光による構造相転移の研究
• 31a-WB-4 C_薄膜における光誘起構造変化
• 30p-YM-4 層状半導体TlIn_Ga_xS_2の構造相転移
• 3a-G-16 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光II
• 3a-J-12 (GeS_2)_(Bi_2S_3)_x系非晶質半導体の赤外吸収及びラマン散乱
• 3a-J-11 Sb-Se系非晶質半導体体膜における光結晶化
• 28a-J-1 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光
• 1p-P-10 CdS微粒子の加圧効果
• 5a-D-8 層状半導体TlGa_xln_S_2の基礎吸収端の圧力効果
• 26p-M-19 層状半導体TIInS_2の光吸収スペクトル
• 5a-D-9 層状半導体TllnS_2の発光及びラマン散乱の温度依存性
• Pr_xEr_Ba_2Cu_3O_系の赤外スペクトル
• 2a-M-4 Bi_2S_3の赤外及びラマンスペクトル
• 第5回三元及び多元化合物国際会議
• 30p-Q-6 埋め込まれたポーラスシリコンの光物性
• 31p-M2-2 ガラス中CdS微粒子の光物性(表面・界面)
• 27p-LE-2 非晶質As_2S_3:Agの熱分析とガラス化傾向(半導体)
• 27p-LE-5 高圧力下におけるカルコゲナイド系非晶質半導体の低波数ラマン散乱(半導体)
• 1p-PS-47 LnBa_2Cu_3O_2(Ln=Dy,Gd,Sn)の赤外スペクトル(低温(酸化物超伝導体))
• 27p-LE-1 非晶質(GeSe_2)_x(As_2Se_3)_系の静水圧下に於ける吸収端(半導体)
• 27p-LE-7 カルコゲナイド系非晶質半導体の弾性的性質(半導体)
• 2p-L2-10 非晶質As2S3の熱処理における構造緩和(半導体,(アモルファス))
• 27p-LE-3 非晶質As_2S_3:Agの低周波ラマン散乱(半導体)
• 29p-H-6 CdSe微粒子の発光強度のサイズ依存性(表面・界面)
• 31a-PS-66 高Tc超伝導体LnBa_2Cu_3O_x系の格子力学(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 1p-FC-9 As,Ge-カルコゲナイド系非晶質半導体の光重合(1p FC 半導体(アモルファス))
• 29a-TG-10 GeO_2ガラス中のCdSe微結晶の時間分解発光分光(29aTG 表面・界面(超微粒子))
• 2a-TC-19 スポージュメン(LiAlSi_2O_6)の赤外とラマン散乱スペクトル
• 1p-FC-11 非晶質As-S系における低波数ラマン散乱(1p FC 半導体(アモルファス))
• 1p-D1-5 非晶質半導体As-S系の遠赤外光吸収と電荷ゆらぎ(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)
• 1p-FC-10 非晶質As_2S_3の電荷ゆらぎに及ぼすAg添加効果(1p FC 半導体(アモルファス))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク