6a-KL-9 無定型As_2Se_3の吸収端の温度依存性
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T.S.Moss, G.J.Burrell and B. Ellis, Semiconductor Opto-Electronics, Butterworths, London, 1973, 441ページ, 23×15cm, 8,750円.
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M.M.Cohen: Introduction to the Quantum Theory of Semiconductors, Gordon and Breach, New York, 1972, 299ページ, 23.5×16cm
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霜田光一, 矢島達夫: 量子エレクトロニクス(上巻)裳華房, 1972, 451 ページ, 22×16cm, 2,500円(物理学選書13)
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R.K. Willardson and A. C. Beer 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 4; Physics of III-V Compounds, Academic Press, 1968, 511頁, 16×23.5cm, 8,800円.
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