7p-B-14 光学的徴差検出法による、浅い不純物を加えたシリコンの、吸収測定
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
12a-Q-3 CdIn_2S_4 中の、局在電子状態のエレクトロ・アブソープションの測定
-
6p-K-1 Bi_GeO_のジャイロトロピーの測定
-
4a-K-1 CdIn_2S_4の光学的測定
-
12p-W-6 II.ガラス半導体As_3Se_3の吸収端の温度変化
-
6a-KL-9 無定型As_2Se_3の吸収端の温度依存性
-
27a-SB-32 Ge添加As_2Se_3ガラスの光音響分光
-
9p-Q-14 沃素酸結晶のラマン散乱強度の角度依存
-
11p-T-3 HIO_3とDIO_3の赤外反射スペクトル
-
6a-K-12 方解石のlattice vibrations
-
4p-G-9 AgIの結晶化の励起子吸収による研究
-
芳田奎, 磁性I,II, 朝倉書店, 1972, 183ページ, 237ページ, 23×16cm, 1,500円, 1,700円(物性物理学シリーズ).
-
T.S.Moss, G.J.Burrell and B. Ellis, Semiconductor Opto-Electronics, Butterworths, London, 1973, 441ページ, 23×15cm, 8,750円.
-
M.M.Cohen: Introduction to the Quantum Theory of Semiconductors, Gordon and Breach, New York, 1972, 299ページ, 23.5×16cm
-
霜田光一, 矢島達夫: 量子エレクトロニクス(上巻)裳華房, 1972, 451 ページ, 22×16cm, 2,500円(物理学選書13)
-
スキー科学研究会編: 日本のスキー科学 日立製作所, 1971, 187頁, 19×26cm, 非売品
-
7p-B-14 光学的徴差検出法による、浅い不純物を加えたシリコンの、吸収測定
-
G.B. Wright 編: Light Scattering Spectra of Solids, Springer-Verlag, 1969, 763頁, 20×26cm, 20,240円. : F. Mixed crystal and point deffect (p. 439〜561)
-
R.K. Willardson and A. C. Beer 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 4; Physics of III-V Compounds, Academic Press, 1968, 511頁, 16×23.5cm, 8,800円.
-
1a-BH-3 Ag微粒子の表面プラズマ吸収
-
31p-BG-6 Bi を添加した a-As_2S_3 の振動スペクトル
-
2a-BD-1 α-NaVO_3 の振幅スペクトルによる構造研究
-
5p-K-16 As_xSe_の光電子放出に於ける熱処理効果
-
1p-BG-8 より不規則の大きい混昌Cd_xZn_1-xCr_2Se_4(1-y)S_4y の格子振動 (I)
-
9p-Q-9 α-Fe_2O_3の遠赤外誘電分散と格子振動
-
7a-B-1 反強磁性半導体MnTe_2の赤外物性
-
6p-B-14 極紫外光電子放出によるAs_xSe_の価電子帯の研究
-
12a-Y-4 混晶Cd_Zn_xCr_2Se_4に於ける格子振動
-
14p-W-12 HgCr_2Se_4の磁場変調分光
-
5p-KD-9 反強磁性半導体MnTeのphononの温度依存性
-
5p-KD-6 HgCr_2Se_4の吸収端近傍の吸収スペクトルの磁場依存性
-
12p-Q-2 CdCr_2S_4 の光ルミネッセンスの測定
-
4p-A-4 a-As_2S_3,a-As_2Se_3の光音響分光の低温測定
-
12p-R-7 a-As_2S_3,As_2Se_3中のBi不純物の効果
-
5p-K-18 As_xSe_3の不純物効果
-
23p-G-15 斜方晶系Pb_xSn_Seの光学的性質
-
11a-H-10 SnSeの光学的性質
-
9a-B-21 Ge-SnO_2ヘテロジャンクションの光起電力
-
3a-M-6 Hg_xZn_Cr_2Se_4の吸収端近傍の光学測定
-
12a-H-3 HgCr_2Se_4の焼鈍効果
-
6p-A-8 固体ArとKrに埋め込んだS_2分子の吸収
-
7p-G-16 ガラス中の低周波光散乱
-
29a-B-15 Fe_Cu_x Cr_2S4におけるフォノン-プラズモンスペクトルの磁気整列効果
-
CdS微粒子の発光過程
-
3p-Q-7 磁性半導体MCr_2X_4における誘電パラメーターへの磁気効果(I)
-
28a-N-5 混晶系AB_C_xにおける有効電荷の成分比依存性 II
-
30a-S-12 混晶AB_C_xにおける有効電荷の成分比依有性
-
4p-Z-4 クロムスピネル AB_2X_4 有効電荷
-
6p-A-10 スピネル型カルコゲナイドの赤外吸収
-
5p-A-4 光学的性質からみた〓性半導体の問題点
-
6a-L-2 CdIn_2S_4,CdIn_2S_4(Cr)の光反射-測定結果の解析
-
6a-L-1 CdIn_2S_4,CdIn_2S_4(Cr)の光反射-測定法
-
6p-A-9 CdCr_2S_4,CdCr_2Se_4の反射測定 : 解析
-
6a-P-5 CdCr_2Se_4,HgCr_2Se_4,CdCr_2S_4の反射スペクトル
-
4p-TB-1 いわゆる磁性半導体(HgCr_2Se_4)の光学的特性
-
9p-Q-11 ラテックスの光散乱(転移点近傍)
-
7p-G-1 ラテックスの相転移
-
11p-W-8 シリコンの反射測定
-
「ジャーナルの論文をよくするために」と「お答え」をめぐって
-
CdIn_2_S_4_のバンド構造
-
5p-A-4 光学的性質からみた磁性半導体の問題点
-
1a-TB-1 SOR(Synchrotron Orbit Radiation)分光学-スライドによるMURA(Midwestern Universities Research Asociation)見学
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク