6a-L-1 CdIn_2S_4,CdIn_2S_4(Cr)の光反射-測定法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-04-03
著者
関連論文
- 12a-Q-3 CdIn_2S_4 中の、局在電子状態のエレクトロ・アブソープションの測定
- 6p-K-1 Bi_GeO_のジャイロトロピーの測定
- 4a-K-1 CdIn_2S_4の光学的測定
- 7p-B-14 光学的徴差検出法による、浅い不純物を加えたシリコンの、吸収測定
- 12p-Q-2 CdCr_2S_4 の光ルミネッセンスの測定
- 5p-A-4 光学的性質からみた〓性半導体の問題点
- 6a-L-2 CdIn_2S_4,CdIn_2S_4(Cr)の光反射-測定結果の解析
- 6a-L-1 CdIn_2S_4,CdIn_2S_4(Cr)の光反射-測定法
- 6p-A-9 CdCr_2S_4,CdCr_2Se_4の反射測定 : 解析
- 6a-P-5 CdCr_2Se_4,HgCr_2Se_4,CdCr_2S_4の反射スペクトル
- 4p-TB-1 いわゆる磁性半導体(HgCr_2Se_4)の光学的特性
- 9p-Q-11 ラテックスの光散乱(転移点近傍)
- 7p-G-1 ラテックスの相転移
- 11p-W-8 シリコンの反射測定
- 「ジャーナルの論文をよくするために」と「お答え」をめぐって
- CdIn_2_S_4_のバンド構造
- 5p-A-4 光学的性質からみた磁性半導体の問題点
- 1a-TB-1 SOR(Synchrotron Orbit Radiation)分光学-スライドによるMURA(Midwestern Universities Research Asociation)見学