7a-B-1 反強磁性半導体MnTe_2の赤外物性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1976-09-16

著者

• 大成 誠之助

  東教大光研

• 新井 敏弘

  東教大光研

• 工藤 恵栄

  東教大光研

• 工藤 恵栄

  筑波大物工

関連論文

• 12p-W-6 II.ガラス半導体As_3Se_3の吸収端の温度変化
• 12p-W-5 I.ガラス半導体As_3Se_3の格子振動の温度変化
• 6a-KL-9 無定型As_2Se_3の吸収端の温度依存性
• 24a-G-9 a-As_2Se_3の光学的性質
• 1p-N-11 多量にSnをドープしたGe単結晶.II : 光散乱と電子易動度
• 9a-B-1 Snを多量にドープしたGeの光学的、電気的性質
• 27a-SB-32 Ge添加As_2Se_3ガラスの光音響分光
• 1a-S-2 NaFの光電子放出
• 9p-Q-14 沃素酸結晶のラマン散乱強度の角度依存
• 4p-Q-12 光学二軸性結晶HIO_3におけるラマン散乱の角度分散
• 11p-T-3 HIO_3とDIO_3の赤外反射スペクトル
• 6a-K-12 方解石のlattice vibrations
• 6a-A-7 無定形As_2Se_3の遠赤外領域スペクトル
• 4p-G-9 AgIの結晶化の励起子吸収による研究
• 芳田奎, 磁性I,II, 朝倉書店, 1972, 183ページ, 237ページ, 23×16cm, 1,500円, 1,700円(物性物理学シリーズ).
• T.S.Moss, G.J.Burrell and B. Ellis, Semiconductor Opto-Electronics, Butterworths, London, 1973, 441ページ, 23×15cm, 8,750円.
• M.M.Cohen: Introduction to the Quantum Theory of Semiconductors, Gordon and Breach, New York, 1972, 299ページ, 23.5×16cm
• 霜田光一, 矢島達夫: 量子エレクトロニクス(上巻)裳華房, 1972, 451 ページ, 22×16cm, 2,500円(物理学選書13)
• スキー科学研究会編: 日本のスキー科学 日立製作所, 1971, 187頁, 19×26cm, 非売品
• 7p-B-14 光学的徴差検出法による、浅い不純物を加えたシリコンの、吸収測定
• G.B. Wright 編: Light Scattering Spectra of Solids, Springer-Verlag, 1969, 763頁, 20×26cm, 20,240円. : F. Mixed crystal and point deffect (p. 439〜561)
• R.K. Willardson and A. C. Beer 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 4; Physics of III-V Compounds, Academic Press, 1968, 511頁, 16×23.5cm, 8,800円.
• 5a-KG-16 Hg_xZn_Cr_2Se_4の磁性的性質
• 1a-BH-3 Ag微粒子の表面プラズマ吸収
• 31p-BG-9 セシウムハライド中の不純物Tl^+により誘起された一次ラマン散乱
• 7p-G-15 MnO_4^を添加したCsIの多音子共鳴ラマン散乱
• 31p-BG-6 Bi を添加した a-As_2S_3 の振動スペクトル
• 2a-BD-1 α-NaVO_3 の振幅スペクトルによる構造研究
• 5p-K-16 As_xSe_の光電子放出に於ける熱処理効果
• 3p-BJ-10 a-As_2S_3 中の Bi 不純物のバンド端に与える効果
• 1p-BG-8 より不規則の大きい混昌Cd_xZn_1-xCr_2Se_4(1-y)S_4y の格子振動 (I)
• 9p-Q-9 α-Fe_2O_3の遠赤外誘電分散と格子振動
• 7a-B-1 反強磁性半導体MnTe_2の赤外物性
• 6p-B-14 極紫外光電子放出によるAs_xSe_の価電子帯の研究
• 12a-Y-4 混晶Cd_Zn_xCr_2Se_4に於ける格子振動
• 14p-W-12 HgCr_2Se_4の磁場変調分光
• 12a-W-14 斜方晶系 Pb_xSn_Seの電気的性質
• 5p-KD-9 反強磁性半導体MnTeのphononの温度依存性
• 5p-KD-6 HgCr_2Se_4の吸収端近傍の吸収スペクトルの磁場依存性
• 5p-KD-5 磁性半導体ACr_2Se_4(A=Hg,Cd)格子振動の温度依存性(II)
• 4p-A-4 a-As_2S_3,a-As_2Se_3の光音響分光の低温測定
• 6a-L-4 磁性半導体 ACr_2Se_4(A=Hg.Cd)格子振動の温度依存性
• 12p-Q-5 混晶 Mg_xZn_Cr_2Se_4 に於ける格子振動
• 3a-T-5 スピネル型カルコゲナイドの格子振動
• 12p-R-7 a-As_2S_3,As_2Se_3中のBi不純物の効果
• 5p-K-18 As_xSe_3の不純物効果
• 23p-G-15 斜方晶系Pb_xSn_Seの光学的性質
• 11a-H-10 SnSeの光学的性質
• 1p-N-6 基礎吸収端近傍でのSnSeの光学的性質
• 9a-B-21 Ge-SnO_2ヘテロジャンクションの光起電力
• 3a-M-6 Hg_xZn_Cr_2Se_4の吸収端近傍の光学測定
• 12a-H-3 HgCr_2Se_4の焼鈍効果
• 4a-H-12 HgCr_2Se_4の電気的、光学的性質 II
• 30a-N-10 HgCr_2Se_4の電気的,光学的性質
• 6p-A-8 固体ArとKrに埋め込んだS_2分子の吸収
• 7p-G-16 ガラス中の低周波光散乱
• 29a-B-15 Fe_Cu_x Cr_2S4におけるフォノン-プラズモンスペクトルの磁気整列効果
• CdS微粒子の発光過程
• 3p-Q-7 磁性半導体MCr_2X_4における誘電パラメーターへの磁気効果(I)
• 28a-N-5 混晶系AB_C_xにおける有効電荷の成分比依存性 II
• 30a-S-12 混晶AB_C_xにおける有効電荷の成分比依有性
• 4p-Z-4 クロムスピネル AB_2X_4 有効電荷
• 3a-M-2 金を添加したシリコンの赤外吸収 II
• 13a-H-7 AuをdopeしたSiliconの赤外吸収スペクトル
• 6p-A-10 スピネル型カルコゲナイドの赤外吸収
• GaPの不純物吸収 : 光物性
• タイトル無し

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク