3a-M-2 金を添加したシリコンの赤外吸収 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-04-03
著者
関連論文
- 12p-W-6 II.ガラス半導体As_3Se_3の吸収端の温度変化
- 12p-W-5 I.ガラス半導体As_3Se_3の格子振動の温度変化
- 6a-KL-9 無定型As_2Se_3の吸収端の温度依存性
- 24a-G-9 a-As_2Se_3の光学的性質
- 1p-N-11 多量にSnをドープしたGe単結晶.II : 光散乱と電子易動度
- 9a-B-1 Snを多量にドープしたGeの光学的、電気的性質
- 9p-Q-14 沃素酸結晶のラマン散乱強度の角度依存
- 4p-Q-12 光学二軸性結晶HIO_3におけるラマン散乱の角度分散
- 11p-T-3 HIO_3とDIO_3の赤外反射スペクトル
- 6a-K-12 方解石のlattice vibrations
- 6a-A-7 無定形As_2Se_3の遠赤外領域スペクトル
- 5a-KG-16 Hg_xZn_Cr_2Se_4の磁性的性質
- 31p-BG-6 Bi を添加した a-As_2S_3 の振動スペクトル
- 2a-BD-1 α-NaVO_3 の振幅スペクトルによる構造研究
- 3p-BJ-10 a-As_2S_3 中の Bi 不純物のバンド端に与える効果
- 1p-BG-8 より不規則の大きい混昌Cd_xZn_1-xCr_2Se_4(1-y)S_4y の格子振動 (I)
- 9p-Q-9 α-Fe_2O_3の遠赤外誘電分散と格子振動
- 7a-B-1 反強磁性半導体MnTe_2の赤外物性
- 6p-B-14 極紫外光電子放出によるAs_xSe_の価電子帯の研究
- 12a-Y-4 混晶Cd_Zn_xCr_2Se_4に於ける格子振動
- 14p-W-12 HgCr_2Se_4の磁場変調分光
- 12a-W-14 斜方晶系 Pb_xSn_Seの電気的性質
- 5p-KD-9 反強磁性半導体MnTeのphononの温度依存性
- 5p-KD-6 HgCr_2Se_4の吸収端近傍の吸収スペクトルの磁場依存性
- 5p-KD-5 磁性半導体ACr_2Se_4(A=Hg,Cd)格子振動の温度依存性(II)
- 微分分光型分光器の試作 : 光
- 6a-L-4 磁性半導体 ACr_2Se_4(A=Hg.Cd)格子振動の温度依存性
- 12p-Q-5 混晶 Mg_xZn_Cr_2Se_4 に於ける格子振動
- 3a-T-5 スピネル型カルコゲナイドの格子振動
- 23p-G-15 斜方晶系Pb_xSn_Seの光学的性質
- 11a-H-10 SnSeの光学的性質
- 1p-N-6 基礎吸収端近傍でのSnSeの光学的性質
- 9a-B-21 Ge-SnO_2ヘテロジャンクションの光起電力
- 3a-M-6 Hg_xZn_Cr_2Se_4の吸収端近傍の光学測定
- 12a-H-3 HgCr_2Se_4の焼鈍効果
- 4a-H-12 HgCr_2Se_4の電気的、光学的性質 II
- 30a-N-10 HgCr_2Se_4の電気的,光学的性質
- 3a-M-2 金を添加したシリコンの赤外吸収 II
- 13a-H-7 AuをdopeしたSiliconの赤外吸収スペクトル
- 6p-A-10 スピネル型カルコゲナイドの赤外吸収
- GaPの不純物吸収 : 光物性