岡庭 守 | 姫路工業大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 藤沢 浩訓

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 清水 勝

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 丹生 博彦

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• Shimizu Masahiro

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• 岡庭 守

  姫路工業大学大学院工学研究科

• 丹生 博彦

  兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Mitsugi Satoshi

  Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Shimizu Mitsuaki

  Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Shimizu M

  Tokyo Inst. Technology Yokohama

• Fujisawa Hironori

  Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji

• Shimizu M

  Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei

• 藤沢 浩訓

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• Fujisawa Hironori

  Graduate School Of Engineering University Of Hyogo

• 岡庭 守

  姫路工業大学工学部電子工学科

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著作論文

• MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果

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