岡庭 守 | 姫路工業大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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藤沢 浩訓
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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清水 勝
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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丹生 博彦
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
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岡庭 守
姫路工業大学大学院工学研究科
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丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
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Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
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Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
著作論文
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果