陽電子寿命測定による表面近傍の微小空隙サイズの推定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-11-10
著者
関連論文
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 27a-APS-8 鉄の磁性電子3次元運動量分布
- 25pY-11 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の空孔型欠陥の評価
- 25aYL-4 金属薄膜の低速陽電子ビームを用いた欠陥評価
- 28a-XJ-10 低速陽電子ビーム法による金属薄膜の欠陥評価
- 29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
- 30a-YC-8 低速陽電子寿命法による金属薄膜Fe,Hfの研究
- 23aYC-2 蓄積リングTERASにおける汎用LCSラインの建設
- 30p-YT-3 低速陽電子ビーム寿命測定法による準結晶AIPdMnの研究
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 30p-R-10 紫外域自由電子レーザー用小型電子蓄積リングの現状
- 29pYC-5 水素雰囲気中において作成したFe単層膜の低速陽電子ビームによる評価
- 23pYH-11 水素雰囲気下におけるFe単層膜の作成と低速陽電子ビームによる測定
- 30a-PS-36 酸素吸着MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 31a-S-6 MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 28a-YQ-10 蓄積リングNIJI-IVにおける遠紫外域自由電子レーザー発振
- 28a-YQ-9 クロマティシティ補正による電子ビームの高品質化とFELの短波長化
- 30a-YL-1 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究 IV
- 7p-Q-12 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究III
- 7p-Q-11 NIJI-IV自由電子レーザーにおける高次高調波の観測II
- 31p-YA-2 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究II
- NIJI-IV自由電子レーザーにおける高次高調波の観測
- NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究 I
- 31a-S-1 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XV
- 30a-YB-12 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失V
- 30a-YB-11 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XIV
- 7a-G-4 レーザー逆コンプトン散乱γ線による(γ_、γ)実験
- 4p-E4-1 電子リニアックを用いた低速陽電子の発化
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 低速陽電子ビームを用いた陽電子寿命測定および陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 陽電子顕微鏡の基礎実験
- 陽電子ビーム2.ビーム陽電子による寿命測定
- 30a-YB-10 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XIII
- 30p-YP-8 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失IV
- 30p-YP-7 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XII
- 30p-YP-6 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XI
- 2p-K-11 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失 III
- 2p-K-10 蓄積リングNIJI-IV における自由電子レーザーの研究 X
- 6a-ZF-8 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究I : ゲイン測定
- 27pXC-7 入射エネルギー可変陽電子を用いた陽電子寿命運動量相関測定 II
- 30p-YK-1 陽電子ビームによるSi中水素関与欠陥の挙動研究
- 30p-E-9 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VIII
- 15a-DA-12 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 V
- 15a-DA-11 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VI
- 1p-K-7 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究IV
- 1p-K-6 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究III
- 25a-ZL-10 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 II
- 25a-ZL-9 蓄積リング NIJI-IV における自由電子レーザーの研究 I
- 30a-YC-7 タングステンからの陽電子再放出
- 高分解能陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の製作(II)
- 31p-PSB-61 高分解能陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の製作
- 29p-B-8 超低速短パルス陽電子ビームラインの開発
- 2p-G-3 電総研での逆コンプトン散乱による^Pb(γ_pol、γ)実験
- 2p-K-9 蓄積リングNIJI-IV における自由電子レーザーの研究 IX
- 30p-E-8 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VII
- 1a-X-10 パルス状単色陽電子ビームによるHOPG表面上の陽電子寿命の研究II
- 28a-T-12 パルス状単色陽電子ビームによるHOPG表面上の陽電子寿命の研究
- 23pYH-10 入射エネルギー可変陽電子を用いた陽電子寿命運動量相関測定 I
- 24aYA-4 シリコン酸化表面からの再放出陽電子のTOF分析
- 26p-K-1 短パルス低速陽電子ビームを用いた材料分析
- 27a-PS-70 酸素吸着Si(111)表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 29a-PS-57 陽電子消滅励起オージェ電子分光法によるオージェピーク形状分析
- 27p-T-1 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究VI.
- 30p-R-9 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究V.
- 24a-N-9 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究IV.
- 27p-PSA-17 飛行時間分析法による陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 27a-ZN-2 エネルギー可変陽電子寿命測定装置の開発II
- 27a-T-4 エネルギー可変陽電子寿命測定装置の開発
- 低速陽電子タイムバンチ装置の開発II
- 28p-H-3 レーザー逆コンプトン混乱γ線の収量測定用検出器の開発
- 30p-ZG-5 Nd:YAGレーザーの2次高調波を用いた逆コンプトン散乱による準単色γ線の測定
- 30p-ZG-4 逆コンプトン散乱γ線生成用YAGレーザー装置
- 31a-N-3 電総研での逆コンセプト散乱による(γ, γ) 実験 II
- 5a-H-13 電総研での逆コンプトン散乱を利用した(γ, γ)実験
- 30p-ZQ-5 電総研での逆コンプトン散乱による偏極γ線の偏極度測定システム
- 3p-E-10 逆コンプトン散乱による偏極準単色γ線発生装置
- 陽電子寿命測定による表面近傍の微小空隙サイズの推定
- 高強度低速陽電子ビームの発生とそれを用いた物性測定
- 28p-YG-4 電総研における高強度短パルス陽電子ビームの発生とその応用
- 6p-R-8 再帰的探索法による等ポテンシャル面の3次元表示
- 30a-R-7 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究II.
- 3a-N-2 低速陽電子タイムバンチ装置の開発
- 3p-D4-9 レーザ・コンプトン散乱によるエネルギー可変準単色γ線の生成II(放射線物理)
- 1p-K3-14 陽電子パルスの直流化 III(金属)
- 31a-F3-1 電総研蓄積リングのbeam sizeとion trapping(素粒子実験(加速器))