31p-YA-2 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
大平 俊行
産総研
-
鈴木 良一
電総研
-
大平 俊行
電総研
-
三角 智久
電総研
-
杉山 卓
電子技術総合研究所
-
杉山 卓
電総研
-
大垣 英明
電総研
-
山崎 鉄夫
電総研
-
横山 稔
川崎重工
-
野口 勉
電総研
-
清 紀弘
電総研
-
山田 家和勝
電総研
-
清紀 弘
産総研
-
三角 智久
産総研
-
山崎 鉄夫
京大エネルギー理工
-
河合 正之
川崎重工
-
山田家 和勝
産業技術総合研究所
-
野口 勉
産業技術総合研
関連論文
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 21aYJ-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(21aYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pYK-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pXH-12 ガラスキャピラリーによる陽電子マイクロビーム生成の試み(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27a-APS-8 鉄の磁性電子3次元運動量分布
- 18aTH-3 水素雰囲気下において作成した金属薄膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
- 25pY-11 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の空孔型欠陥の評価
- 25aYL-4 金属薄膜の低速陽電子ビームを用いた欠陥評価
- 28a-XJ-10 低速陽電子ビーム法による金属薄膜の欠陥評価
- 29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
- 30a-YC-8 低速陽電子寿命法による金属薄膜Fe,Hfの研究
- 23aYC-2 蓄積リングTERASにおける汎用LCSラインの建設
- 30p-YT-3 低速陽電子ビーム寿命測定法による準結晶AIPdMnの研究
- 分光エリプソメトリー及びエネルギー可変陽電子消滅法によるシリカスパッタ薄膜の細孔構造解析
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- 30p-R-10 紫外域自由電子レーザー用小型電子蓄積リングの現状
- エチレン基含有ポーラスシリカ膜の空孔評価
- 29pYC-5 水素雰囲気中において作成したFe単層膜の低速陽電子ビームによる評価
- 23pYH-11 水素雰囲気下におけるFe単層膜の作成と低速陽電子ビームによる測定
- 30a-PS-36 酸素吸着MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 31a-S-6 MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 短パルス陽電子ビームを用いた2次元寿命測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 規則性ポア構造をもつlow-k層間絶縁膜の陽電子分析 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- Caracterization of SiO2/Si by an intense pulsed positron beam (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 高強度低速陽電子ビームを用いた陽電子寿命・運動量相関測定装置の開発 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 飛行時間型・陽電子消滅励起オージェ電子分光(TOF-PAES)による最近の研究と装置の改造計画 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- シリコン酸化表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光及び陽電子寿命測定
- 陽電子消滅励起オージェ電子分光法によるSi(100)表面酸化初期過程の研究 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 28a-YQ-10 蓄積リングNIJI-IVにおける遠紫外域自由電子レーザー発振
- 28a-YQ-9 クロマティシティ補正による電子ビームの高品質化とFELの短波長化
- 30a-YL-1 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究 IV
- 7p-Q-12 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究III
- 7p-Q-11 NIJI-IV自由電子レーザーにおける高次高調波の観測II
- 31p-YA-2 NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究II
- NIJI-IV自由電子レーザーにおける高次高調波の観測
- NIJI-IV自由電子レーザーの高品質化の研究 I
- 31a-S-1 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XV
- 30a-YB-12 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失V
- 30a-YB-11 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XIV
- 25pSC-2 LCS偏極光子を用いた^Crのtwo-phonon stateの観測-II
- 31a-YH-4 LCS偏極光子を用いた^Crのtwo-phonon stateの観測
- 4a-J-7 レーザー逆コンプトン散乱からの偏極光子を用いたM1遷移強度分布測定
- 1p-G-15 レーザー逆コンプトン散乱γ線による^Pb(γ_,γ)実験
- 21p-D-10 レーザー逆コンプトン散乱γ線による^Pb(γ_pol, γ)実験
- 電総研での蓄積リングを用いたレーザー逆コンプトン散乱γ線開発と利用
- 28p-YT-12 レーザー逆コンプトン散乱γ線による(γ_, γ)実験-2
- 7a-G-4 レーザー逆コンプトン散乱γ線による(γ_、γ)実験
- 4p-E4-1 電子リニアックを用いた低速陽電子の発化
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 陽電子消滅法による高分子表面の空隙解析
- 14pXG-14 低速陽電子ビームによる Ni・ポリマー膜の評価(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 低速陽電子ビームを用いた陽電子寿命測定および陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 陽電子顕微鏡の基礎実験
- 陽電子ビーム2.ビーム陽電子による寿命測定
- 30a-YB-10 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XIII
- 30p-YP-8 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失IV
- 30p-YP-7 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XII
- 30p-YP-6 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 XI
- 2p-K-11 短波長自由電子レーザー用誘電体多層膜ミラーの損失 III
- 2p-K-10 蓄積リングNIJI-IV における自由電子レーザーの研究 X
- 6a-ZF-8 電子蓄積リングを用いた自由電子レーザーの研究I : ゲイン測定
- 30pYE-8 陽電子消滅法を用いた金属・ポリエチレン膜の評価(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
- 21aXA-3 低速陽電子ビームによる Ni・ポリマー膜の評価
- 29pXJ-1 金属・ポリマー膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
- 27pXC-7 入射エネルギー可変陽電子を用いた陽電子寿命運動量相関測定 II
- 30p-YK-1 陽電子ビームによるSi中水素関与欠陥の挙動研究
- 30p-E-9 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 VIII
- 15a-DA-12 蓄積リングNIJI-IVにおける自由電子レーザーの研究 V
- 30a-YC-7 タングステンからの陽電子再放出
- 6a-X-2 高強度陽電子ビームの超低速化(II) : 陽電子モデレータ
- 29a-A-1 高強度陽電子ビームの超低速化
- 高分解能陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の製作(II)
- 31p-PSB-61 高分解能陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の製作
- 29p-B-8 超低速短パルス陽電子ビームラインの開発
- 23pYH-10 入射エネルギー可変陽電子を用いた陽電子寿命運動量相関測定 I
- 低速陽電子ビームの発生とその表面研究への応用
- 24aYA-4 シリコン酸化表面からの再放出陽電子のTOF分析
- 陽電子消滅励起オージェ電子分光法による表面最表層の分析
- 飛行時間分析型陽電子消滅励起オージェ電子分光装置の開発 (特集 電子加速器・蓄積リングの新たな利用研究と展開)
- 短パルス陽電子ビームによる再放出陽電子の測定 (特集 電子加速器・蓄積リングの新たな利用研究と展開)
- 入射エネルギー可変陽電子寿命測定法による表面近傍の微視的構造評価 (特集 電子加速器・蓄積リングの新たな利用研究と展開)
- 26p-K-1 短パルス低速陽電子ビームを用いた材料分析
- 27a-PS-70 酸素吸着Si(111)表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 陽電子消滅励起オージェ電子分光--飛行時間法の高精度化 (特集 陽電子分光計測の新しい流れ)
- 29a-PS-57 陽電子消滅励起オージェ電子分光法によるオージェピーク形状分析
- 26pGAB-11 陽電子発生専用超伝導加速器の開発(26pGAB ビームモニタ・大強度ビーム・加速器応用,ビーム物理領域)
- 26pEH-13 AlReSi近似結晶のSPSによる組織改善と陽電子消減法による構造欠陥の評価(26pEH 液体金属・準結晶・金属一般,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aJA-11 陽電子発生専用超伝導加速器と新陽電子ビームライン建設の進展報告(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pWG-4 陽電子寿命運動量相関測定によるSiO_2/Siの研究(26pWG 領域10シンポジウム主題:陽電子消滅・コンプトン散乱研究での相関・コインシデンス測定,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 24pXR-9 低速陽電子ビームを用いた水素雰囲気下で作成した金属薄膜の欠陥評価(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))