日比谷 孟悛 | NEC基礎研究所
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概要
関連著者
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渡辺 匡人
NEC
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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江口 実
Nec
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江口 実
NEC基礎研究所
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日比谷 孟悛
NEC基礎研究所
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渡邉 匡人
学習院大 理
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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柿本 浩一
Nec基礎研究所
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李 京雨
NEC基礎研究所
著作論文
- 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)
- 27pA3 CZ単結晶育成中におけるSi融液対流速度の垂直磁場による変化(バルク結晶成長シンポジウムII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)