ACRT垂直ブリッジマン法によるランガサイト単結晶の育成 : バルク成長I
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概要
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A 2-in single crystal of La_3Ga_5SiO_<14> (LGS) was successfully grown by the vertical Bridgman technique equipped with accelerated crucible rotation technique (ACRT). The selected growth axis was <101^^-1> which is an effective orientation for slicing commercial wafers. The furnace has three heatingzones where the temperature gradient was optimized for the growth. The secondary phase which is commonly observed along <101^^-0> was reduced by choosing the appropriate acceleration rate.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
稲場 均
三菱マテリアル電子デバイス開発センター
-
干川 圭吾
信州大
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