01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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The effective segregation coefficient of Ge, Ga and B in plurally doped CZ-Si growth has been investigated. It was found that effective segregation coefficient of Ge and B was about 0.52 and 0.70 respectively in heavily B and Ge codoped Si crystal with an average growth rate of 1mm/min.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
宇田 聡
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 岳志
東北大学金属材料研究所
-
黄 新明
東北大学金属材料研究所
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