CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム
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概要
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Dislocations due to lattice misfit suppressed at the interface of heavily B-doped Si seed and lightly B-doped Si crystal in CZ-Si crystal growth when the difference in B concentration in the seed and grown crystal was less than 7×10^<18> atoms/cm^3, corresponding to lattice constant of 2×10-<-4>Å The gradual B concentration distribution was formed at the interface by thermal diffusion of B atoms from the heavily B-doped Si seed during the crystal growth, and the relationship between the distribution and the formation of dislocations due to lattice misfi was investigated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 圭吾
信州大・教育
-
太子 敏則
信州大・教育
-
黄 新明
(株)シリコンテクノロジー
-
王 鉄峰
信州大・教育
-
干川 圭吾
信州大
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