Heavily Boron-Doped Silicon Single Crystal Growth: Boron Segregation
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-03-01
著者
-
深海 龍夫
信州大学工学部電気電子工学科
-
FUKAMI Tatsuo
Faculty of Engineering, Shinshu University
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
Huang X
Nanjing Univ. Nanjing Chn
-
Fukami Tatsuo
Faculty Of Engineering Shinshu University
-
HUANG Xinming
Faculty of Education, Shinshu University
-
HOSHIKAWA Keigo
Faculty of Education, Shinshu University
-
TAISHI Toshinori
Faculty of Education, Shinshu University
-
KAJIGAYA Tomio
Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
-
干川 圭吾
信州大
-
KUBOTA Masayoshi
Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
-
Kajigaya Tomio
Sumitomo Metal Mining Co. Ltd.
-
Hoshikawa Keigo
Faculty Of Education Shinshu University
-
Taishi Toshinori
Faculty Of Engineering Shinshu University
-
Huang Xinming
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-
Kubota M
Sumitomo Metal Mining Co. Ltd.
-
Taishi Toshinori
Faculty of Engineering, Shinshu University
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