Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)
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概要
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Ga-doped Si crystals with different Ga concentration were grown by CZ method, and Ga concentration in the grown crystals were compared with coresponding initial Ga concentration in silicon melts. It was found that measured Ga concentration in cystal was consistent with designed value when the Ga concentration less than 1×10^<17> atoms/cm^3, but it decreased with increasing the Ga concentration.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
大石 修治
信州大学工学部環境機能工学科
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
干川 圭吾
信州大・教育
-
太子 敏則
信州大・教育
-
干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
-
干川 岳志
東北大学金属材料研究所
-
大石 修治
信州大・工
-
干川 岳志
信州大・工
-
干川 圭吾
信州大
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