無ネック無転位シリコン単結晶成長(<特集>最新のブレークスルーとなった成長技術)
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概要
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The scientific and technological backgrounds for the growth method of dislocation-free Czochralski silicon crystals without thin necks is introduced, and the development of the neckless growth method is reviewed. Robust silicon wafers which are heavily co-doped with B and Ge are also introduced in the relationship to impurity hardening effect. Finally, more advanced studies on the neckless growth method and robust silicon wafers are briefly introduced from the viewpoint of the industrial establishment.
- 日本結晶成長学会の論文
著者
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
-
黄 新明
東北大学金属材料研究所
-
干川 圭吾
信州大
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