一方向凝固法によるタンタル酸カリウム単結晶の育成(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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本研究では、現在タンタル酸カリウム(KTaO_3、KT)単結晶育成に用いられているTSSG法に比べ、育成速度が速く、形状制御が容易なブリッジマン(VB)法によるKT単結晶育成を試みている。原料全てを固化するVB法では原料組成が重要であるため、まず一方向凝固によりKT結晶を作製し、その固化状況からVB法でのKT単結晶育成の可能性及び最適組成を調べた。その結果、原料組成を化学量論組成であるK:Ta=50:50とした場合では固化開始部にTa rich結晶が析出した後KT結晶の成長が確認でき、K:Ta=52:48の場合では固化開始部からKT結晶があらわれた。このK rich組成原料を用いた一方向凝固でKT単結晶が育成できたことからVB法によるKT単結晶育成の可能性が示された。
2010-10-21

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