25aA03 石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果(バルク,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Reaction at the interface between Ba-doped silica crucible and Si melt for Czochralski Si (CZ-Si) crystal growth has been studied. It is found that appropriate Ba-doping in a silica crucible results in a remarkable effect on suppression of formation of the so-called brownish rings at the interface. This kind of silica crucible is expected to enhance the growth yield in CZ-Si crystal growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
宇田 聡
東北大学金属材料研究所
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
黄 晋二
東北大学 金属材料研究所
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
-
黄 新明
東北大学金属材料研究所
-
黄 晋二
東北大学金属材料研究所
-
渡部 弘行
株式会社倉元製作所
-
三瓶 桂子
株式会社倉元製作所
-
干川 圭吾
信州大
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