19aB05 外部電場印加によるランガサイトのコングルエント化(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Imposing a 600V/cm electric field on the system of La_2O_<3^->Ga_2O_<3^->SiO_2 moved boundary of langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) field toward La_2O_3 approximately by 3mol%. As a result, transformation of langasite from incongruent to congruent state was realized successfully, which demonstrated that the equilibrium phase relationship could be manipulated by the external electric field.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
宇田 聡
東北大学金属材料研究所
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
黄 晋二
東北大学 金属材料研究所
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
黄 新明
東北大学金属材料研究所
-
黄 晋二
東北大学金属材料研究所
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