引上法によるY54方位4インチランガサイト単結晶の育成 : バルク成長I
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概要
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Growth of langasite single crystal of 4 inch in diameter along Y54 direction by CZ method was investigated. The structure of a hot zone, pulling rate and rotation rate were optimized, and some crystals without a macro defect were obtained. The homogeneity of the crystals was evaluated. The distribution of sound velocity between lots is about 120 ppm in standard deviation.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
小西 希
三菱マテリアル株式会社
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
竹島 一太
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
-
豊永 敬二
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
-
佐藤 博
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
-
原田 次郎
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
-
小西 希
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
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