外部電場印加による非調和融解状態の調和融解化 : 非調和融解ランガサイト結晶の調和融解成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ランガサイト(La_3Ga_5SiO_<14>)は,非調和融解物質であるが,ランガサイト種子結晶を使用すると適切な過冷却度のもとにいわゆる擬似調和融解融液から直接単結晶を育成することができる.しかしながら,非調和融解性に起因する多結晶化が育成中に頻繁に発生するという深刻な問題がある.この問題を根本的に解決するには,ランガサイトの非調和融解状態を何らかの方法で調和融解状態に変換する必要がある.成長系に外部電場を印加すると関連する平衡共存相の化学ポテンシャルの修飾によりエネルギー関係が変わり,非調和融解状態が調和融解状態に変わる可能性がある.たとえば,ランガサイトは,600V/cmの電界下で調和融解状態に変換される.これは,融液と初晶相(Gaを含むランタンシリケート相)の共存状態とランガサイト組成の融液の自由エネルギーの大きさの関係が電場により逆転するからである.このような変換の可能性は,これらの相の誘電率の変化が初晶相側端成分に向かって増加する場合に見られる.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-09-30
著者
-
宇田 聡
東北大学金属材料研究所
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
黄 晋二
東北大学 金属材料研究所
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
黄 新明
東北大学金属材料研究所
-
黄 晋二
東北大学金属材料研究所
関連論文
- 『結晶成長を支える高温熱物性計測技術の進展』によせて(特集序文)
- 特集:材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術
- 外部電場印加による酸化物高温超伝導体物質の成長ダイナミクスへの影響(酸化物結晶成長とシンチレータへの応用)
- エーライト結晶成長の高温その場観察 : その場観察II
- C-3 50°Y-25°Xランガサイト基板のモード結合パラメータの実験的解析
- OE1 回転Y板ランガサイト基板の特性解析(SAWデバイス,口頭発表)
- 回転Y板ランガサイトの特性解析とSAWフィルタへの応用
- 30p-YY-15 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長III
- 7a-YL-6 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長II
- Tersoffポテンシャル練り込みBCC格子モデルによるシリコン結晶成長時の熱力学的特性
- 30p-YJ-6 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長
- BCC格子モデルによるシリコン融液からの凝固過程
- 双晶四ホウ酸リチウム結晶を用いたたわみモードアクチュエータ
- 特集 結晶成長を支える高温熱物性計測技術の進展
- 希土類添加GdVO_4の単結晶作成と均質性
- ランガサイト融液の非一致溶融性について : バルク成長シンポジウム
- 光学用四ほう酸リチウム単結晶(Li_2B_4O_7)の育成とその紫外非線形特性
- (7)光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成とその紫外非線形特性
- マイクロ単結晶の作製
- 光学用四ほう酸リチウム単結晶育成とその波長変換特性
- 光学用四ほう酸リチウム単結晶育成とその波長変換特性
- イオン性融液からの結晶成長における育成パラメータの選択(結晶成長における物質・熱輸送
- 四ほう酸リチウム単結晶の位相整合方位引上げ育成
- マイクロ引き下げ法における界面電界の偏析に与える影響について : 半径方向の解析
- 光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成とその紫外領域での非線形特性
- PF4 四ほう酸リチウムでのSAW速度変動の要因(ポスターセッション3)
- 四ほう酸リチウムの新しい用途とその育成条件
- 石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素の動的挙動に関する数値解析 : バルク成長II
- 酸素偏析の検討におけるSi-SiO_2-SiO平衡系でのシリコン結晶成長 : 融液物性I
- 四ほう酸リチウム(Li_2B_4O_7) 単結晶の結晶性 : バルク成長 III 融液物性
- OF4 四ほう酸リチウムでのSAW速度変動とその原因(超音波基礎)
- 四ほう酸リチウム(Li_2B_4O_7)結晶中の双晶の産状と成因 : 酸化物融液成長I
- 四ほう酸リチウム(Li_2B_40_7)融液の電気伝導度 : 液体物性
- 新しい観点によるSi結晶成長 : メルトの不思議 : 招待講演
- 01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 17aA04 Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- シリコン融液表面脹力の変動測定 : 融液成長(シリコン関連) I
- 28aA8 シリコン融液中のSbと酸素の蒸発(融液成長II)
- 無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III
- 無ネッキング無転位CZ-Si結晶成長 : バルク成長I
- ACCGE-17参加記
- 02aA04 ランガテイトの非調和融解性と初晶領域の解明(機能性結晶(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aC03 ランガサイトの調和融解化に必要な電場の大きさとその存在形態(結晶成長基礎(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aC02 外部電場印加におけるYBCO超伝導酸化物の結晶成長過程(結晶成長基礎(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aC01 ニオブ酸リチウム融液のイオン性とそれに起因する結晶化起電力(結晶成長基礎(1),第36回結晶成長国内会議)
- 「Si系単結晶・多結晶」小特集にあたって(小特集序文)
- 外部電場印加による非調和融解状態の調和融解化 : 非調和融解ランガサイト結晶の調和融解成長
- 19aB05 外部電場印加によるランガサイトのコングルエント化(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA03 石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 25pC10 外部電場による結晶成長の制御(1) : 相安定関係の操作(結晶成長基礎(1),第34回結晶成長国内会議)
- 石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果
- 日本結晶成長学会の財政状況について(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- ACRT垂直ブリッジマン法によるランガサイト単結晶の育成 : バルク成長I
- 引上法によるY54方位4インチランガサイト単結晶の育成 : バルク成長I
- OB05 バルク波による圧電ウエハの評価(材料・計測)
- ランガサイト単結晶の育成と評価 : 酸化物(21世紀を担うバルク単結晶)
- ランガサイトの融液と結晶育成 : バルク成長V
- マイクロ引き下げ法(μ-PD法)における界面電界の発生について : バルク成長 V フローティングゾーン法
- m-PD法によるLiNbO_3ファイバー結晶作成に見られる異常偏析現象について : バルク成長 V フローティングゾーン法
- 22aA3 CZ-Si成長用石英るつぼ中気泡の挙動その場観察(バルク成長I)
- 無ネック無転位シリコン単結晶成長(最新のブレークスルーとなった成長技術)
- 細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム
- シリコン融液との反応による石英ガラス表面 : バルク成長II
- CZ-Si結晶成長における成長界面近傍温度の勾配 : バルク成長I
- ランガサイト--新しい多目的圧電基板結晶 (特集 機能性単結晶の最近の進展)
- ポスターセッション : ICCG-11参加記(その2)
- 第1回日中電子材料結晶成長討論会報告
- 結晶作成における界面現象 : 界面電界の溶質固液間分配への影響 : 招待講演
- LiNbO_3 単結晶ファイバー育成に見られるマイクロバブルの発生について : 融液成長(一般)II
- 固液界面に発生する電界の溶質分配および一致溶融組成に与える影響について : ニオブ酸リチウム単結晶育成を例にとって(「融液成長における不安定性」)
- 単結晶ファイバー育成技術とその特長 - バルク結晶では得られない特性を求めて -
- 28aA10 育成パラメータを考慮したLiNbO_3 Dynamic Congruent Meltの存在について(融液成長II)
- 28aA9 LiNbO_3単結晶ファイバー育成において固液界面に発生する熱起電力について(融液成長II)
- 28aA2 Li_2B_4O_7融液の示差熱分析(融液成長I)
- CZ-Si結晶成長における石英の溶解および酸素の偏析(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- シリコン結晶育成用るつぼに用いるシリカガラス中の気泡の挙動
- 22aA4 高濃度B添加CZ-Si結晶成長(バルク成長I)
- 22aA2 ボロン添加シリコン融液と石英ガラスとの反応その場観察(バルク成長I)
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- シリコンドロップ内の熱・物質移動現象 : 融液物性I
- sb添加si単結晶中の酸素濃度に及ぼす雰囲気圧力の効果 : 融液成長(シリコン関連) II
- 自由表面からの酸素の蒸発を考慮したSi融液中酸素輸送解析 : 融液成長(シリコン関連) II
- シリコン融液からの酸素蒸発速度の雰囲気依存性 : 融液成長(シリコン関連) II
- 28aA5 シリコン融液の密度変動(融液成長I)
- 27pA5 Si融液中の酸素溶解度 : Sb添加の影響(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- ランガサイト単結晶のSAWデバイスへの応用 (特集 21世紀を拓く革新的超音波材料群)
- 材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術
- ACCGE-18参加記
- 化学量論組成と調和融解組成を一致させたMgドープLNの開発 : ドルトンの化学量論の概念の一新
- 太陽電池用高品質シリコン結晶の実現へ向けて(特集序文,スクウェアタイプの太陽電池用Si結晶の作製)
- 交流電場を利用したタンパク質核形成過程の制御(タンパク質結晶成長の最前線)
- 2013年日本結晶成長学会特別講演会「バイオ有機物質における結晶成長-その基礎と応用-」(学会活動報告)