17aA04 Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Segregation of Ga in CZ-Si crystal growth was investigated. An equilibrium segregation coefficient of Ga was obtained to be k_0=0.0081 from analysing the Ga distribution in Si crystals grown with different growth rates with BPS theory.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
宇田 聡
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
宇田 聡
東北大学
-
宇田 聡
三菱マテリアル
-
黄 晋二
東北大学 金属材料研究所
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 岳志
東北大学金属材料研究所
-
黄 新明
東北大学金属材料研究所
-
黄 晋二
東北大学金属材料研究所
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