無ネッキング無転位CZ-Si結晶成長 : バルク成長I
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概要
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Dislocation behavior in the interface between boron-doped seed and crystal grown by the Czochralski method was examined by X-ray topography. It is found that dislocation-free silicon crystals can be grown from heavily and lightly boron-doped silicon melts without the Dash-necking process using a boron-doped seed with boron concentration of 1〜7x10^<18> atoms/cm^3.
- 2000-07-01
著者
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
深海 龍夫
信州大学工学部電気電子工学科
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
干川 圭吾
信州大・教育
-
太子 敏則
信州大・工
-
黄 新明
信州大・教
-
深海 龍夫
信州大・工
-
干川 圭吾
信州大
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