Crystal Structure of (NH_4)_3H(SO_4)_2 in Phase I
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-04-15
著者
-
深海 龍夫
信州大学工学部電気電子工学科
-
Nakasone Keiko
Department Of Physics College Of Science University Of The Ryukyus
-
Nakasone Keiko
Department Of Physics And Earth Sciences Faculty Of Science University Of The Ryukyus
-
FUKAMI Takanori
Division of General Education, University of the Ryukyuus
-
HORIUCHI Keizo
Division of General Education, University of the Ryukyuus
-
FURUKAWA Kazuo
Department of Physics, Faculty of Science, Kagoshima Unviersity
-
Horiuchi Keizo
Division Of General Education University Of The Ryukyuus
-
Horiuchi Keizo
Division Of General Education University Of The Ryukyus
-
Fukami Takanori
Division Of General Education University Of The Ryukyus
-
Furukawa K
Department Of Physics Faculty Of Science Kagoshima Unviersity
-
Furukawa Kazuo
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Fukuoka University
関連論文
- 反応性スパッタリングによるアナターゼ光触媒薄膜形成におけるスパッタガス圧の影響
- 19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)
- Localized Polarization in Strontium Titanate Crystal
- Zero Bias Conductance Peak Enhancement in Bi_2Sr_2CaCu_2O_-SiO-Ag Planar Tunnel Junctions : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
- 反強誘電体NaNbO_3セラミックスにおけるピエゾ誘電効果(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 反強誘電体NaNbO_3セラミックスにおけるピエゾ誘電効果(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 反強誘電体NaNbO_3セラミックスにおけるピエゾ誘電効果(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 反強誘電体NaNbO_3セラミックスにおけるピエゾ誘電効果(電子材料)
- 超音波モーター駆動用圧電振動子(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 超音波モーター駆動用圧電振動子(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 超音波モーター駆動用圧電振動子(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックにおけるラム波の励振および検出(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックにおけるラム波の励振および検出(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックにおけるラム波の励振および検出(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックにおけるラム波の励振および検出(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- Crystal Structures of Solid Solutions of a Symmetrical Ketone/n-Alkane Binary System
- Feをドープしたルチルセラミックスの異常電流およびシナプスへの応用
- TiO_2:Ptスパッタ膜の酸素センサおよび光触媒への応用
- Niをドープした(Ba,Sr)TiO_3セラミックスの超低周波誘電特性
- 輪郭振動モードを用いた超小型圧電トランス
- 輪郭振動モードを用いた超小型圧電トランス
- 輪郭振動モードを用いた超小型圧電トランス
- 輪郭振動モードを用いた超小型圧電トランス
- Crystal Structure of (NH_4)_3H(SO_4)_2 in Phase I
- Crystal Structure of (NH_4)_3H(SeO_4)_2 in Phase IV
- A New Phase Transition of (NH_4)_3H(SO_4)_2 at 190℃
- Optimum Discharge Condition of DC Bias Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering for High Quality Si Epitaxial Growth
- 無ネッキング無転位CZ-Si結晶成長 : バルク成長I
- 三磁極マグネトロンスパッタリング法によるNi-Cr合金薄膜の作成
- ピエゾ誘電効果を利用した力センサ : 準静的な感度を持つ荷重検出法(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ピエゾ誘電効果を利用した力センサ : 準静的な感度を持つ荷重検出法(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ピエゾ誘電効果を利用した力センサ : 準静的な感度を持つ荷重検出法(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ピエゾ誘電効果を利用した力センサ : 準静的な感度を持つ荷重検出法(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- NQR, NMR, and DSC Study of [NH_3 (CH_2) _3NH_3] CdBr_4
- るつぼ封止VB法によるニオブ酸カリウム結晶の一方向凝固(機能性結晶IV)
- Effect of Substrate Bias on Si Epitaxial Growth Using Sputtering-Type Electron Cyclotron Resonance (ECR) Plasma
- Room Temperature Deposition of Silicon Nitride Films for Passivation of Organic Electroluminescence Device Using a Sputtering-Type Electron Cyclotron Resonance Plasma
- Growth of Epitaxial Silicon Film at Low Temperature by Using Sputtering-Type Electron Cyclotron Resonance Plasma
- Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without the Dash-Necking Process : Growth from Undoped Si Melt
- Heavily Boron-Doped Silicon Single Crystal Growth:Constitutional Supercooling
- Heavily Boron-Doped Silicon Single Crystal Growth: Boron Segregation
- 22aA4 高濃度B添加CZ-Si結晶成長(バルク成長I)
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- Deposition of High-Quality Silicon Oxynitride Film at Low Temperature by Using a Sputtering-Type Electron Cyclotron Resonance Plasma
- 輪郭振動モードを用いた超小型圧電トランス
- Structural Phase Transitions in (C_2H_5NH_3)_2- and (n-C_4H_9NH_3)_2ZnBr_4
- X-Ray Diffraction and ^CINQR Studies of Bis-2-picolinium Hexachlorostannate
- Quadrupole-Nuclear Relaxation Induced by Dynamic Disorders
- 熱刺激電流により観察したペロブスカイト酸化物における酸素空位挙動
- 熱刺激電流により観察したペロブスカイト酸化物における酸素空位挙動
- 熱刺激電流により観察したペロブスカイト酸化物における酸素空位挙動
- 熱刺激電流により観察したペロブスカイト酸化物における酸素空位挙動
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックスにおける圧電特性
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックスにおける圧電特性
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックスにおける圧電特性
- タンタル酸リチウム系固溶体セラミックスにおける圧電特性
- C-6-11 タンタル酸リチウム系固溶体セラミックスにおける散漫相転移
- 弾性非線形性を利用した圧電セラミックアクチュエータの発生圧力センシング
- 強誘電体の非線形性を利用した荷重検出
- 赤外線加熱FZ法によるニオブ酸カリウム結晶育成中の雰囲気ガスの影響 : バルク成長I
- 圧電セラミックによる圧力センサ
- TSFZ法によるニオブ酸カリウム結晶の育成
- Temperature Dependence of EPR Spectrum from VO^ Ions in (NH_4)_2SO_4
- Primary Cutaneous Mucinous Carcinoma Initially Diagnosed as Metastatic Adenocarcinoma
- 積層型ディジタル圧電/電歪アクチュエータ
- Anomalous AC Electric Conductivity in (NH_4)_3H (SeO_4)_2
- チタン酸ストロンチウム単結晶の抵抗劣化機構
- Anomalous Thermal Hysteresis of Dielectric Constant of Tungsten Trioxide WO_3
- Effects of Uniaxial Stress and Electric Field on Paramagnetic Spectra of Cr^ in KH_2PO_4
- スパッタ法による二酸化チタン薄膜の形成
- Discontinuous Narrowing of VO^Electron Spin Resonance Linewidth in(NH_4)_3H(SeO_4)_2 Induced by Superionic Phase Transition
- ESR Study of KDP:K_2SeO_4 Mixed Crystals
- 8ビット構成の積層セラミック圧電ディジタルアクチュエータ
- バイモルフ複合体アクチュエータ(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- バイモルフ複合体アクチュエータ(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- バイモルフ複合体アクチュエータ(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)