Room Temperature Deposition of Silicon Nitride Films for Passivation of Organic Electroluminescence Device Using a Sputtering-Type Electron Cyclotron Resonance Plasma
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-08-15
著者
-
Muraoka Katsunori
Interdisciplinary Gt-aduate School Of Engineering Sciences Kyushu Universit
-
Muraoka Katsunori
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
Matsuo Keiji
Fukuoka Institute Of Technology
-
NAKASHIMA Hiroshi
Advanced Science and Technology Center for Cooperative Research, Kyushu University
-
Wang Jun
National Institute Of Materials And Chemical Research
-
Gao D
Advanced Science And Technology Center For Cooperative Research Kyushu University
-
FURUKAWA Kazuo
Department of Physics, Faculty of Science, Kagoshima Unviersity
-
Gao Dawei
Advanced Science And Technology Center For Cooperative Research Kyushu University
-
Nakashima Hiroshi
Department Of Preventive Medicine And Public Health National Defense Medical College
-
Wang J
State Key Laboratory Of Crystal Materials Shandong University
-
Wang J
Interdisciplinary Gt-aduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
GAO Junsi
Interdisciplinary GT-aduate School of Engineering Sciences, Kyushu University
-
WANG Junli
Interdisciplinary GT-aduate School of Engineering Sciences, Kyushu University
-
FURUKAWA Katsuhiko
Advanced Science and Technology Center for Cooperative Research, Kyushu University
-
Nakashima H
Hyogo University
-
Nakashima Hideharu
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
Gao J
Huazhong Univ. Sci. & Technol. Wuhan Chn
-
Furukawa K
High Energy Accelerator Res. Organization (kek) Ibaraki Jpn
-
Furukawa Katsuhiko
Advanced Science And Technology Center For Cooperative Research Kyushu University
-
Nakashima Hiroshi
Advanced Science And Technology Center For Cooperative Research Kyushu University
-
Nakashima Hiroshi
Advanced Science and Technology Center for Cooperative
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