26aB13 ECRスパッタリングプラズマ制御による単結晶薄膜の成長(ヘリカル/プラズマ応用)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 1999-11-20
著者
-
中島 寛
九州大学産学連携センター
-
村岡 克紀
九大総理工
-
王 俊利
九州大学先端科学技術共同研究センター
-
高 軍思
九大総理工
-
王 俊利
九大総理工
-
中島 寛
九大先端センター
-
古川 勝彦
九大先端センター
-
高 大為
九大先端センター
-
中島 寛
先端科学技術共同研究センター
-
Muraoka Katsunori
Interdisciplinary Gt-aduate School Of Engineering Sciences Kyushu Universit
-
Matsuo Keiji
Fukuoka Institute Of Technology
-
中島 寛
九大 産学連携セ
-
中島 寛
九大先端セ
関連論文
- 29a-YA-1 ヘリオトロンEにおけるNBIプラズマの特性
- 13a-L-1 ヘリオトロンEにおけるhigh β N B I プラズマの特性
- 29a-ZC-1 ヘリオトロンE真空磁気面測定(II)(プラズマ物理・核融合)
- 28p-Z-1 ヘリオトロンEにおけるNBIプラズマの輸送とその制御
- 30p-F-2 ヘリオトロンEにおける輸送の理解とその制御
- 界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 : Ge基板への絶縁膜形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 29a-YA-9 ヘリオトロンEにおける遷移現象時の電子密度揺動のレーザー位相差法による計測
- 27p-B-10 ヘリオトロンEにおける周辺電位制御 : レーザーフェーズコントラスト法による電子密度揺動計測
- AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン薄膜形成挙動のその場加熱観察
- アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 電子サイクロトロンプラズマを活用したシリコン薄膜及び極薄シリコン酸化膜の形成とその電気的評価
- 26aB13 ECRスパッタリングプラズマ制御による単結晶薄膜の成長(ヘリカル/プラズマ応用)
- CoSi_2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の評価
- 極薄トンネル酸化膜の電気特性の膜厚依存性と熱処理効果およびFIBによるCoシリサイド微構造の低温形成
- シリコン中の鉄原子の再結合促進移動を利用した構造的に準安定な鉄-ボロン・ペアの生成
- 29a-M-2 H_αレーザー蛍光法によるヘリオトロンEプラズマ中の水素原子挙動の研究I
- 30p-YA-4 JT-60Uにおけるエネルギー閉じ込め改善時の粒子閉じ込め特性
- 30aA05 LHDにおけるECEイメージング(プラズマ計測)
- 30pA06P LHDにおけるECEイメージングI(プラズマ計測)
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Electrical and Structural Properties of TaN Gate Electrodes Fabricated by Wet Etching Using NH_4OH/H_2O_2 Solution and Hf Metal Hard Mask
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 30a-T-14 レーザー誘起遷移による放電現象の制御 I
- 31a-Y-3 高密度Zピンチによる高温・高密度プラズマ生成に関する研究
- AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 2p-E-10 熱陰極型抵気注直流放電中のポテンシャルステップの研究III
- 3a-NY-9 Fraunhofer回折法によるプラズマ波動計測
- 5a-NT-6 熱陰極型低気圧直流放電中のポテンシャルステップの研究 II
- 30p-W-15 マイクロ波の前方散乱によるプラズマ波動の計測
- 2a-Y-12 共鳴散乱による高温プラズマ中の不純物密度測定IV
- 4p-NY-4 PFC-XXプラズマ不純物密度の共鳴散乱法による測定 I
- 30p-W-16 トカマクプラズマ中水素原子数の共鳴散乱計測用真空紫外レーザの開発 I
- 3a-D-4 同時刻二波長干渉法による大気中インパルスアークプラズマの密度測定
- 6p-F6-8 プラズマ中電界測定用重イオン源の特性III
- 27p-KL-4 フランフォーファ回折法によるプラズマ波動計測法の開発研究
- 2a-SB-18 マイクロ波領域でのフランホーファ回折法によるプラズマ波動計測
- レーザー位相差法による高イオン温度ヘリオトロンEプラズマの電子密度揺動計測
- 29p-Q-11 レーザー位相差法によるヘリオトロンEプラズマ中の電子密度揺動の空間分布計測(II)
- 29p-YX-7 レーザー位相差法によるヘリオトロンEプラズマ中の電子密度揺動の空間分布計測
- 3a-T-8 レーザー位相差法によるヘリオトロンEプラズマ中の電子密度揺動計測
- 14p-M-1 レーザー位相差法による電子密度揺動の空間分布計測法の開発
- 30p-TH-4 Hαレーザー蛍光法および放射光計測によるヘリオトロンE粒子閉じ込め研究 IV
- 3a-J-11 Hαレーザー蛍光法及び放射光計測によるヘリオトロンE粒子閉じ込め研究III
- 27p-B-12 ヘリオトロンEプラズマ中の電子密度揺動スペクトルS(k, f)のシートビームを用いたレーザー位相コントラスト法による測定
- 5a-H-3 RFC-XX-M装置での水素原子密度分布の測定と荷電交換損失の評価
- 14a-DJ-5 レーザー蛍光法によるプラズマ・壁相互作用の研究
- 29a-Y-9 レーザー螢光法による表面のスパッタリング過程の研究 II
- 2p-D-11 レーザー共鳴散乱法によるイオンビームスパッタリング過程の研究 I
- 4p-NY-3 共鳴散乱による高温プラズマ中の不純物密度測定 III
- 30p-W-17 共鳴散乱による高温プラズマ中の不純物密度測定 II
- 3a-N-12 共鳴散乱による高温プラズマ中の不純物密度測定 I
- 3a-H-5 Hαレーザー蛍光法によるガンマ10セントラルセル水素原子密度の計測
- 29a-L-4 イオンビームスパッター原子の速度分布関数測定によるスパッタリング過程の研究
- 30p-QE-4 プロセシングプラズマ中の電解、粒子レーザー蛍光分光法による測定 I
- 1p-R-1 スパッタ鉄原子の速度分布関数のレーザー蛍光法による計測
- 5a-H-4 非等方スパッタリング域における放出角度分布のレーザー蛍光測定による研究
- 6a-K-5 位相コントラスト法を用いたプラズマ中の電子密度揺動計測法の開発
- 30a-L-5 H_αレーザー蛍光法によるガンマ10プラズマ中の水素原子密度測定I
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 17. 高温プラズマのレーザー計測
- 自律的構造形成プロセスへのアプローチ
- 4a-RA-7 レーザートムソン散乱法による大気中DCアークの研究
- 14a-DF-5 レーザトムソン散乱法による大気中DCアークの計測I
- 31a-TH-9 ライダートムソン散乱法へのストリークカメラの適用
- 2a-KB-5 MHD発電用プラズマへの螢光散乱法の適用 I
- 2a-T-6 ルビーレーザ散乱による高気圧アークプラズマの診断
- 3p-K-11 小型θピンチ装置インプローション過程でのプラズマシース構造の測定
- 29a-L-3 フラウンホーファ回折によるRFC-XX-Mプラズマ中の電子密度揺動の測定
- 5a-H-5 フラウンホーファ回折法によるプラズマ波動計測法の技術開発
- 2p-Y-1 フランホーファ回折法によるプラズマ波動計測II
- 2p-T-11 熱陰極型低気圧直流放電中の局所強電場現象の観測
- 30p-TH-5 フラウンホーファ回折法によるヘリオトロンEプラズマ中の電子密度揺動の測定(III)
- 3a-J-10 フラウンホーファ回折法によるヘリオトロンEプラズマ中の電子密度揺動の測定(II)
- 3p-E6-13 ヘリオトロンEプラズマ中の電子密度振動計測
- 27p-B-3 CHS装置における水素原子密度分布測定による粒子輸送系数の評価
- 1a-K-7 フラウンホーファ回折 (FD) 法の大形プラズマ装置への適用 (II)
- 27a-KL-4 イオン温度計測用FIRレーザ開発 VI
- 2a-SB-19 イオン温度計測用FIRレーザー開発 V
- 2a-Y-13 イオン温度計測用FIRレーザ開発IV
- 3p-NY-14 イオン温度計測用高出力FIRレーザ開発 III
- 2a-Y-11 レーザー共鳴散乱法による水素原子検知III
- 2a-Y-10 レーザー共鳴散乱法による水素原子検知II
- 4a-N-8 イオン温度計測用高出力FIRレーザの開発 I
- 1a-K-8 H_α,H_βレーザ蛍光法による高温プラズマ中水素原子密度分布の測定
- 14a-DJ-2 イオン温度計測用FIRレーザの開発VII
- 25pB01 第3ステージ非協同レーザートムソン散乱によるプラズマ計測の進展(プラズマ基礎・応用I)
- 6a-K-6 二光子励起レーザー螢光法によるヘリオトロンE周辺プラズマ中の水素原子密度計測I
- 6p-F6-11 二光子励紀レーザー螢光法による周辺プラズマでの水素原子計測II
- 3p-E6-12 Hαレーザー蛍光法及びプラズマ放射光計測によるヘリオトロンE粒子閉じ込め研究
- 30a-L-4 真空紫外レーザー蛍光法によるプラズマ中の粒子計測
- 1p-K-2 L_αレーザー蛍光法による放電プラズマ中の水素原子密度計測
- TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)